刘新胜
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响被引量：6
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度（20-490℃）下沉积了A lN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌。实验结果表明,当衬底处在20℃冷却的样品台沉积A lN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的（002）晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化。当温度到达400℃时,（002）晶面取向度达到最大。温度达到490℃时,薄膜再度出现了明显的（100）,（101）晶面的衍射峰。
- 刘新胜周灵平门海泉李德意李绍禄
- 关键词：ALN薄膜衬底温度表面形貌反应磁控溅射
- 双靶磁控溅射聚焦共沉积AlN薄膜生长速率研究被引量：2
- 2006年
- 采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长A lN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了A lN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长。
- 门海泉周灵平刘新胜李德意李绍禄肖汉宁
- 关键词：ALN薄膜共沉积生长速率磁控溅射
- AlN薄膜择优取向XRD表征及其工艺影响
- AlN薄膜择优取向对其性能和应用具有重要影响。采用直流磁控溅射沉积技术制备高度取向的AlN薄膜。通过建立薄膜择优取向的XRD表征方法，研究了衬底温度、氮气浓度和工作气压对AlN薄膜择优取向的影响。
- 周灵平朱家俊刘新胜李德意彭坤李绍禄
- 关键词：ALN薄膜磁控溅射
- 双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜粘结性能研究
- 2010年
- 采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜。X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试,结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5～2倍。不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用。
- 朱家俊周灵平刘新胜彭坤李德意李绍禄
- 关键词：ALN薄膜反应磁控溅射粘结强度共沉积
- 磁控反应溅射制备AlN薄膜及其性能研究
- AlN薄膜具有一系列独特的优良物理化学性质，在电学、光学、声学和力学等方面有广阔的应用前景。尤其是AlN具有热导率高、电阻率高、击穿场强大、介电系数小、热膨胀系数与GaN、GaAs等常用半导体材料匹配这些特性，使其被广泛...
- 刘新胜
- 关键词：磁控反应溅射介电系数粘结强度电学性能ALN薄膜
- 文献传递
- 反应磁控溅射制备AlN薄膜及其性能研究
- AlN薄膜具有一系列独特的优良物理化学性质,在电学、光学、声学和力学等方面有广阔的应用前景。尤其是AlN具有热导率高、电阻率高、击穿场强大、介电系数小、热膨胀系数与GaN、GaAs等常用半导体材料匹配这些特性,使其被广泛...
- 刘新胜
- 关键词：ALN薄膜磁控溅射粘结强度电阻率击穿场强
- 文献传递
