刘古
- 作品数：12 被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：中国科学院科学基金浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)
- 1987年
- 在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。
- 刘古蒋建飞陈瑞熊
- 关键词：玻尔兹曼方程输运方程积分微分方程非平衡载流子载流子密度带间跃迁
- 俄歇角分布对表面分析的应用和问题
- 刘古鲍世宁鲍德松
- 关键词：角分布俄歇电子谱法
- 非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究
- 1989年
- 本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_(100-x)Ni_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi_3价带谱中出现的双峰进行了讨论。
- 吴柏枚陈兆甲鲍世宁鲍德松季振国刘古
- 关键词：非晶态合金晶化过程能谱
- 硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究
- 1989年
- 随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e^-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。
- 鲍德松刘古季振国鲍世宁
- 关键词：硅钝化膜液相
- Au-GaAs(īīī)界面特性的研究
- 1990年
- 我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。
- 何丕模罗晋生刘古
- 关键词：原子扩散
- 在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB_6薄膜及其界面的电学特性被引量：1
- 1992年
- 用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。
- 毛祖遂魏赛珍刘古
- 关键词：电子束蒸发
- 钒(100)面硫、氧偏析的角分辨AES研究
- 1989年
- 利用角分辨电子谱仪测量了偏析O存在的V(100)-(8×1)和编析S、O同时存在的V(100)-(2×2)表面中O(KVV)、S(152.5eV)与V(L_3M_ 2,_3V)的极分辨谱。O(KVV)和S(152.5eV)极分辨曲线拟合分析及(2×2)中O(KVV)/S(152.5eV)随极角θ增大而增大,得出偏析S在偏析O层之下。V(L_3M_2,_3V)Auger电子衍射分布表明该电子前向散射起主导作用。并进而讨论了偏析S、O的结构。
- 何丕模刘古
- 关键词：AES前向散射电子衍射密度分布
- 六硼化镧多晶的ARUPS、ARAES和功函数测量
- 鲍世宁刘古张训生
- 关键词：俄歇电子谱法亥姆霍兹函数紫外辐射光电子谱法
- 俄歇极角角分布的大角度行为
- 1989年
- 测量了纯金样品Au(69eV),纯铜样品Cu(60eV和Cu(920eV)俄歇信号的极角角分布,考察了它们的大角度行为。用多种函数对角分布进行拟合。拟合参数与电子能量无关。分布大体上符合cosθ规律。大角度时对cosθ的偏差用表面不平整可得到最好的解释。样品浓度不连续分布的模型与数据符合不好。计及俄歇电子在表面上折射的角分布公式由于在大角度下发散而与实验完全不符。
- 刘古鲍世宁鲍德松
- 关键词：角分布俄歇电子电子能量仪器响应
- 硫在Ni_(110)表面偏析的角分辨俄歇研究
- 1991年
- 本实验采用LEED及角分辨俄歇两种手段,对硫在Ni_(110)表面的偏拆作了详细的分拆。角分辨俄歇表明:Ni_(110)表面硫的偏折存在一硫的深度分布,分布层厚度大约为2～3镍原子层厚度。而LEED观察表明,当退火温度达到900℃退火4～5秒,将得到清晰的C_(2×2)图形。
- 鲍德松刘古周小霞季振国
- 关键词：硫偏析镍
