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俞俊学

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:浙江工业大学信息工程学院更多>>
发文基金:浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目广州市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇低噪
  • 4篇低噪声
  • 4篇低噪声放大器
  • 4篇放大器
  • 3篇放大器设计
  • 3篇ADS
  • 2篇单片
  • 2篇低功耗
  • 2篇电流复用
  • 2篇噪声系数
  • 2篇散射参数
  • 2篇鲁棒
  • 2篇鲁棒性
  • 2篇功耗
  • 1篇单片低噪声放...
  • 1篇通信
  • 1篇无线
  • 1篇无线通信
  • 1篇系统设计
  • 1篇芯片

机构

  • 5篇浙江工业大学
  • 2篇浙江大学
  • 1篇广东工业大学

作者

  • 5篇俞俊学
  • 3篇俞奇
  • 3篇肖丽娟
  • 3篇陈印
  • 3篇俞沛文
  • 3篇赵维
  • 2篇陈伟
  • 1篇熊德平
  • 1篇周守利

传媒

  • 1篇通讯世界
  • 1篇浙江工业大学...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江省电子学...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于ADS的2GHz低噪声放大器设计
2013年
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1.0dB,输出驻波比小于1.3,输入驻波比小于2.5。
陈印俞俊学俞奇肖丽娟赵维俞沛文
关键词:低噪声放大器散射参数噪声系数
高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器电路
2016年
基于0.15um GaAs pHMET工艺技术,采用电流复用偏置结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性紧凑型低功耗单片低噪声放大器芯片。该款放大器具有两级拓扑结构,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动,同时通过改进匹配网络结构进一步优化芯片的噪声系数和缩小电路尺寸。在偏置电压为5V的条件下,放大器的工作带宽为2~8GHz,增益和噪声系数分别为24.7±0.7d B和1.18±0.1d B,电路总电流仅为20m A。芯片尺寸为2.5mm×1mm。与常规工艺和技术所设计的低噪声芯片和其他类型工作频率的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势。
俞俊学陈伟
关键词:电流复用紧凑型低功耗鲁棒性
基于ADS的2GHz低噪声放大器设计
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数...
陈印俞俊学俞奇肖丽娟赵维俞沛文
关键词:低噪声放大器散射参数噪声系数
文献传递
基于ADS的2GHz低噪声放大器设计
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器.通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数...
陈印俞俊学俞奇肖丽娟赵维俞沛文
关键词:无线通信低噪声放大器系统设计
文献传递
低功耗单片低噪声放大器芯片被引量:5
2016年
基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19~24GHz,增益和噪声系数分别为(24.7±0.2),(1.4±0.1)dB,电路总电流仅为5mA.芯片尺寸为2mm×1mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势.
周守利俞俊学陈伟熊德平
关键词:低噪声放大器电流复用低功耗鲁棒性
共1页<1>
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