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于映

作品数：142 被引量：200H指数：7
供职机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省科技重点项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 82篇期刊文章
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领域

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主题

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机构

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  • 5篇苏州市职业大...
  • 5篇浙江大学
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作者

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传媒

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  • 3篇传感器与微系...
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年份

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  • 11篇2007
  • 8篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
共 142 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MIM结构薄膜应变栅的工艺研究被引量：1
2000年
阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ,对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ,对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。
于映陈跃
关键词：传感器
Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究被引量：1
2005年
本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.
于映赵晨罗仲梓翁心桥
微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力被引量：1
2014年
薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80～110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ～34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合.
于映丁可柯花婷婷薄亚明张明张彤
关键词：残余应力
0.6V CMOS低噪声放大器的设计与优化被引量：1
2015年
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA)。分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 d B,输入回波损耗S11为-12.18 d B,噪声系数NF为1.2 d B,1 d B压缩点为-17.99 d Bm,在0.6 V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 m W,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能。
周洪敏张瑛丁可柯于映
关键词：低噪声放大器噪声系数低功耗
基于VerilogHDL语言的DPLL的数控振荡器设计被引量：7
2006年
随着通讯技术、集成电路技术的飞速发展和系统芯片(SoC)的深入研究,数字锁相环技术应用越来越广泛。数字锁相环数控振荡器设计是数字锁相环电路的关键部分,在利用Verilog语言配合Xilinx的FPGA的基础上,采用两种方法实现数控振荡电路。一种是根据脉冲加/减电路编写RTL代码实现;另一种是采用有限状态机编写RTL代码实现。并使用综合软件Synplify7.5对两种满足设计要求的RTL代码进行综合分析。
张雅珍于映
关键词：数字锁相环数控振荡器硬件描述语言
FFT处理器寄生参数提取和静态时序分析
2008年
本文在简要介绍寄生参数提取工具Star—RCXT和静态时序分析工具PrimeTime的基础上，对已通过物理验证工具CalibreDRC和LVS的FFT处理器版图用Star—RCXT工具进行了基于CCI的寄生参数提取，得到内部互连网络的详细寄生电容和电阻值。最后，用PrimeTime工具进行了精确的版图时序分析。
王仁平于映
关键词：FFT处理器静态时序分析
一种可调频率的共面波导串联电容谐振器
本发明是一种可调频率的共面波导串联电容谐振器，所述谐振器包括第一层介质材料A、第二层介质材料B以及第三层介质材料C，在所述第一层介质材料A上设置有第一金属层A1、第二金属层A2、第三金属层A3、第四金属层A4以及第五金属...
于映樊星叶李若舟严静
文献传递
氮化硅介质薄膜内应力的实验研究被引量：22
2001年
研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。
于映陈跃
关键词：内应力氮化硅薄膜化学气相沉积介质薄膜等离子体
微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究被引量：1
2007年
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。
陈光红吴清鑫于映罗仲梓
关键词：力学性能MEMS
一种带曲率补偿、工作电压1.2V、可调带隙基准电压电路被引量：3
2007年
在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25-125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25-125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。
杨瑞聪赖松林江浩于映
关键词：带隙基准曲率补偿电压电路运放设计
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