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Si_2N_2O电子结构和光学性质的理论研究: 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了Si2N2O的电子结构和光学性质。能带结构分析表明Si2N2O是一种间接带隙的半导体材料,理论计算的带隙值为5.25 eV。另外,计算并分析了Si2N2O介电函数的虚部、实部以及折射率、消光系数、反射率、吸收系数和透光率。Si2N2O的静态介电常数和静态折射率的计算值分别为4.56和2.15。Si2N2O在紫外-可见-近红外光区的理论透光率的最大值为76.5%。; 连景宝陶欣慈高云侠; 关键词：氮氧化硅电子结构光学性质

化学沉淀-还原法合成超细镍粉的研究被引量：7: 2013年; 采用NiSO46#H2O、NaOH和尿素为主要实验原料,通过化学沉淀-还原法合成了超细镍粉,并应用FT-IR、XRD和SEM对合成的粉体进行表征。研究结果表明:直接沉淀法合成的前驱体为不规则形貌的β-Ni(OH)2,而均相沉淀法合成的前驱体为近球形的α-Ni(OH)2和β-Ni(OH)2混合物。两种沉淀法合成的前驱体在90%Ar+10%H2气氛下300℃煅烧1h均能转化为单相镍粉。前者合成的镍粉为近球形,粒径分布约在2～10μm之间,后者合成的镍粉具有近球形多孔蜂窝状结构,分散性良好,粒径大小约1μm。; 连景宝雷明霞高云侠王秉新; 关键词：超细镍粉还原法

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高云侠