马春雨
- 作品数：62 被引量：205H指数：9
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 高kZrO2基薄膜的制备及其性能研究
- 随着超大规模集成电路的快速发展,器件的特征尺寸在不断减小,特别是进入到亚0.1μm尺寸范围时,为保证栅对沟道有很好的控制,SiO栅介质尺寸将达到2nm数量级,此时栅电极与沟道间的直接隧穿会变得非常严重,由此带来栅对沟道控...
- 马春雨张庆瑜
- 文献传递
- 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法
- 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法，属于有机材料的单晶生长方法技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动...
- 杜国同姜文海王旭常玉春马春雨于书坤
- 文献传递
- 外围缩合四个1,10-啡啰啉单元的新氮杂酞菁的表面光伏响应及电场作用研究被引量：4
- 2005年
- 通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret带长波侧光电压曲线在电场作用下轻微蓝移,根据电场对高极化度n轨道基态的影响,将其归属为n-π*跃迁.这一结果表明,光电属性与材料的分子结构和电子结构密切相关,为设计有机半导体模型提供了进一步的实验数据.
- 侯小珂杜锡光马春雨李燕张清林王旭常玉春姜文海单士军姜秀英杜国同
- 关键词：电场作用有机半导体光荧光
- 四邻苯二甲酰亚胺基金属酞菁的合成及其性质研究被引量：3
- 2003年
- 从氨基酞菁出发,合成它们的衍生物———四邻苯二甲酰亚胺基金属(CuⅡ和CoⅡ)酞菁,并对相关化合物进行了质谱、紫外可见光谱、红外光谱表征.其紫外可见光谱中Q带有分裂现象.实现了以氨基酞菁为前体物质进行衍生化的合成实验,讨论了取代基的大小、结构、取代位置及酞菁环中心金属的差异对其Q带分裂现象的影响.
- 宁波丛方地马春雨陈冬菊刘颖陈彬
- 关键词：衍生化分子结构杂环聚合物
- CeO_2纳米粒子金属陶瓷复合电沉积工艺性能研究被引量：6
- 2017年
- 采用纳米复合电沉积技术,研究纳米CeO_2粒子对Ni基金属陶瓷(TiN)复合电沉积层组织性能的影响规律,探索通过添加纳米稀土粒子提高金属陶瓷复合电沉积层组织性能的可能性。研究结果表明,纳米稀土粒子的添加,增加了沉积层内纳米粒子的总复合量,提高金属陶瓷复合沉积层的致密度,产生明显的细晶强化和弥散强化作用,使沉积层硬度和耐磨性显著提高,同时腐蚀速率降低,耐蚀性提高。
- 李智马春雨刘娜娜吴蒙华
- 关键词：脉冲电沉积耐磨性耐蚀性
- 氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示,0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长;当氧分压>0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率、光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.
- 刘明魏玮曲盛薇谷建峰马春雨张庆瑜
- 关键词：ZNO薄膜反应磁控溅射形貌分析光学特性
- 沉积温度对ZrO2薄膜结构及表面形貌的影响
- 2006年
- 采用反应磁控溅射方法,在室温～550℃的沉积温度下,在Si(100)和玻璃基片上沉积了厚度在纳米量级的ZrO2薄膜.通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜和透射光谱分析,研究了沉积温度对ZrO2薄膜的相结构、表面形貌和折射率的影响.研究结果表明:沉积温度低于250℃时,ZrO2薄膜的结构完全呈非晶态,但250℃沉积的薄膜有比较高的致密度;随着沉积温度的升高,薄膜出现了明显的结晶现象,主要为单斜ZrO2相;沉积温度为450℃时,ZrO2薄膜晶化不完全,在晶粒堆砌处有非晶ZrO2相存在;沉积温度为550℃时,ZrO2薄膜完全晶化,在晶粒堆砌处有四方ZrO2相存在.此外,根据薄膜相结构和表面形貌的研究结果,探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制.
- 马春雨张庆瑜
- 关键词：薄膜物理学ZRO2薄膜磁控溅射沉积温度表面形貌
- 反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的热稳定性和光学性能
- 2012年
- 采用反应射频磁控溅射技术制备HfTaO薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,随着Ta掺入量(10%,26%,50%)的增加,HfTaO薄膜的结晶化温度分别为800、900、950℃,Ta掺入量继续增加到72%,经过950℃退火处理的HfTaO薄膜仍然保持非晶态,具有优良的热稳定性。AFM形貌分析显示非晶HfTaO薄膜表面非常平整。在550nm处薄膜折射率n随着Ta掺入量的增大而增大,n的变化区间为1.90～2.15。同时HfTaO薄膜的光学带隙Eg随着Ta掺入量的增大而逐渐减小,Eg的变化区间为4.15～5.29eV。
- 马春雨苗春雨李树林王文娟张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能热稳定性
- 反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究被引量：3
- 2004年
- 在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。
- 马春雨李智张庆瑜
- 关键词：表面粗糙度高介电常数
- 镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
- 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积EC...
- 秦福文马春雨白亦真王德君林国强
- 文献传递
