马云
- 作品数：44 被引量：15H指数：3
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅新苗人才计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 一种具有宽线性区的高灵敏磁敏材料
- 本发明涉及一种磁性材料，特别是一种具有宽线性区的高灵敏磁敏材料。其特征在于：在氩气保护下用交流电弧熔炼法将原子比为80～60％的Fe、15～6％的Si、15～6％的B和5～1％的C融化制成母合金，再在氩气保护下用高频感应...
- 方允樟马云吴锋民郑金菊叶慧群李文忠
- 一种LED水晶灯
- 本发明涉及一种LED水晶灯。要点是：水晶体包括若干相配合的水晶块，在一块水晶块的内表面上镀有若干导电薄膜条块；再在该表面相应部位上紧密地贴装LED芯片，LED芯片的输入和输出端分别连接在相邻的两块导电薄膜条块上；电接插件...
- 方允樟金林枫吴锋民马云李文忠郑金菊叶慧群寇建龙楼刚
- 文献传递
- 一种纵向驱动应力阻抗力敏传感器探头
- 本发明涉及一种力敏传感技术，特别是一种获得具有高灵敏度的高可靠的力敏传感技术，即一种纵向驱动应力阻抗力敏传感器探头。其包括软磁性材料制成的探头芯，其特征在于：在探头芯外套装有金属螺线管，驱动电流通过通电电极接在金属螺线管...
- 郑金菊方允樟李文忠吴锋民马云蔡晶李京波叶慧群
- 文献传递
- Fe基合金薄带磁畴结构的MFM研究被引量：3
- 2010年
- 利用磁力显微镜(MFM)观测了550℃自由退火和张应力(δ=170 MPa)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带表面磁畴结构.发现自由退火样品表面畴结构是迷宫畴,应力退火的为片状畴.并采用立体测量法测量了迷宫畴的畴宽为203 nm,片状畴的畴宽为214 nm.认为样品结构的差异可能是张应力退火所引起的α-Fe(Si)纳米晶粒的方向优势团聚所致.
- 张建强叶慧群郑建龙李通银李文忠马云方允樟
- 关键词：MFM
- 气流对电流退火铁钴基薄带GMI效应的影响
- 2010年
- 在流动气体中,用焦耳热退火方法研究了单辊快淬技术制得的Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶薄带经32A/mm2电流退火10 min的巨磁阻抗效应.结果表明:保护气体的流速对材料的巨磁阻抗曲线有明显的影响,当保护气体的流速为1.8 m/s时出现了尖刺巨磁阻抗现象,灵敏度达到了最大值5 538%/(A.m-1).
- 李通银方允樟马云张建强林根金范佳华
- 关键词：磁畴非晶薄带
- 退火温度对ITO薄膜电导率的影响被引量：7
- 2013年
- 采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构,用SEM观测薄膜的显微结构,利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明,退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善,晶相择优生长,晶粒尺寸变大,薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时,制备的薄膜样品电导率最大。
- 孟庆哲方允樟马云李文忠金林峰
- 关键词：电导率
- Fe76Si7.6B9.5P5C1.9薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应
- 2013年
- 采用磁控溅射方法制备了单层Fe76Si7.6B9.5P5C1.9薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经过不同温度退火3.0 μm厚的FeSiBPC薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应。实验结果表明:经250℃退火的薄膜样品在190 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比为157.32%,外场灵敏度为1.55%/(A·m?1)。
- 褚光方允樟何兴伟马云李文忠
- 关键词：巨磁阻抗效应纵向驱动灵敏度
- 一种电流应力退火制备灵敏高和线性区宽磁敏材料的方法
- 本发明公开了一种电流应力退火制备灵敏高和线性区宽磁敏材料的方法，通过在材料长轴方向施加张应力，在低于晶化退火电流的适当退火电流下退火实现的，采用熔融快淬技术将磁性合金材料制备成非晶合金，在低于纳米晶化退火电流的适当退火电...
- 郑金菊方允樟吴锋民叶慧群金林枫李文忠马云孙怀君
- 文献传递
- 流动气体中应力焦耳热退火FeCo基薄带的GMI效应被引量：2
- 2011年
- 采用单辊快淬法制备Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2(FeCo基合金)薄带,在流动的气体中,施加不同的张应力并通以直流电进行退火,采用HP4294A型阻抗分析仪测量纵向驱动巨磁阻抗效应(LDGMI)曲线。对系列LDGMI曲线特征与外加张应力关系的分析结果表明,在流动气体中进行电流退火的FeCo基合金薄带,外加张应力的作用是感生横向易磁化结构,通过这种横向易磁化结构的控制,可以有效地改变LDGMI曲线的形状。该研究结果对于开发能满足各种实际需求的新型GMI传感器具有现实的指导意义。
- 方允樟许启明叶慧群郑金菊范晓珍潘乐敏马云李文忠
- 关键词：巨磁阻抗效应焦耳热退火
- 一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法
- 本发明涉及一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法，本发明提出了底层埋入式的概念，即在底导线层光刻实现后不直接镀膜，而是采用刻蚀的方法使衬底下凹，再镀膜，将底导线层斜纹埋入凹槽，并通过控制厚度，让底导线层斜纹的顶部...
- 何兴伟方允樟李文忠马云金林枫
- 文献传递
