郭惠
- 作品数：7 被引量：18H指数：2
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- 非齐次树上马氏链场的强偏差定理研究
- 树模型近年来己引起物理学、概率论及信息论界的广泛兴趣。树指标随机过程己成为近年来发展起来的概率论的研究方向之一。而强偏差定理一直是国际概率论界研究的中心课题之一。 本文通过构造适当的非负鞅，将Doob鞅收敛定理应用于几...
- 郭惠
- 关键词：马氏链场强偏差定理
- 文献传递
- 基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As被引量：6
- 2001年
- 介绍了一种基于 Ga As的新型稀磁半导体材料 ( Ga,Mn) As,包括 ( Ga,Mn) As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后 ,展望了 ( Ga,Mn)
- 刘力锋杨瑞霞郭惠
- 关键词：稀磁半导体铁磁性砷化镓半导体材料
- 高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
- 2001年
- 研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．
- 杨瑞霞刘力锋郭惠
- 关键词：砷化镓集成电路
- NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响
- GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以非故意掺杂/(ND/)液封直拉/...
- 郭惠
- 关键词：砷化镓金属半导体场效应晶体管背栅效应
- 文献传递
- 热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响被引量：2
- 2001年
- 对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，可在样品中引入本征受主缺陷，并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻 率明显增加．这些受主缺陷的产生是由于高温和低 ＡＳ压条件下 ＧａＡｓ晶体中发生 Ａｓ间隙 原子的外扩散．提高热处理过程中的Ａｓ气压，可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化．
- 刘力锋杨瑞霞郭惠
- 关键词：电特性单晶
- GaAs MESFET中的背栅效应被引量：2
- 2001年
- 随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在国内外引起了重视。
- 郭惠杨瑞霞付浚刘力锋
- 关键词：背栅效应MESFET砷化镓场效应晶体管
- 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究被引量：9
- 2002年
- 对非掺杂 (ND)半绝缘 (SI)液封直拉 (LEC)GaAs单晶在 5 0 0～ 1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火 ,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响 。
- 刘力锋杨瑞霞郭惠
- 关键词：半绝缘砷化镓淬火
