郭学哲
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 一台慢正电子束实验装置
- 1990年
- 本文介绍一台磁聚焦传输的慢正电子束装置.在该装置上用Ni+MgO 慢化体产生了慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和其他实验组用Au(Pt,不锈钢)+MgO慢化体所得实验结果进行了比较.
- 韩荣典翁惠民郭学哲谢力
- 关键词：能谱
- 电子偶素(Ps)原子n=2激发态的测量被引量：1
- 1992年
- 利用延迟符合技术,以Ps原子的退激信号为起始信号,以退激后基态Ps湮灭γ光子信号为终止信号,测量Psl^3S_1基态寿命谱可以证明Ps原子激发态的存在。根据本实验测量系统探测器的探测效率以及Ps原子束的绝对强度,在考虑了正电子传输磁场对探测器的影响的修正后,本实验给出在产生真空Ps原子时约1％的Ps原子处于n=2的激发态,和国外报道的结果相近。
- 韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲秦敢
- 关键词：原子束激发态
- 真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数
- 1990年
- 本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。
- 翁惠民郭学哲韩荣典徐纪华孙晓舞
- 关键词：电子偶素漂移速度电子能量入射能量
- 真空电子偶素原子的产生
- 1991年
- 用慢正电子束入射固体靶表面,通过测量湮没光子能谱随靶温度和入射慢正电子能量的变化,用“峰法”确定慢正电子产生电子偶素原子的转换率。转换率依赖于靶材料、靶温度和入射慢正电子能量。对材料锗转换率可达80％。
- 韩荣典郭学哲翁惠民石星军谢力
- 关键词：电子偶素原子
- 锗的正电子表面态的测量研究
- 1992年
- 通过测量低能正电子入射到锗(Gc)靶的电子偶素产额随靶温度的变化,测定了在真空度为 1.33×10^(-4)Pa 时锗的正电子表面态的束缚能E_b=2.2eV;Ps形成的激活能E_a=0.2±0.01eV。讨论了高真空与超高真空条件下E_b,E_a的变化。
- 郭学哲翁惠民韩荣典
- 关键词：锗正电子表面态
- 多层溅射制备WSi＿x／Si薄膜的电阻率特性研究被引量：2
- 1994年
- 利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ＿ｘ／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ＿ｘ薄膜中Ｗ＿５Ｓｉ＿３四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
- 王晓平赵特秀刘宏图施一生翁惠民郭学哲
- 关键词：硅化钨溅射电阻率
