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赵超荣

作品数：16 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇医药卫生

主题

  • 10篇背栅
  • 6篇多晶
  • 6篇化物
  • 6篇硅化物
  • 4篇电极
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇射频
  • 4篇绝缘体上硅
  • 4篇剂量计
  • 4篇硅栅
  • 4篇辐射剂量计
  • 4篇PMOS
  • 4篇SOI_LD...
  • 3篇电路
  • 3篇电学测量
  • 3篇引线
  • 3篇芯片
  • 2篇电路版图
  • 2篇堆叠

机构

  • 16篇中国科学院微...

作者

  • 16篇赵超荣
  • 12篇韩郑生
  • 12篇刘梦新
  • 11篇刘刚
  • 7篇范雪梅
  • 4篇杜寰
  • 4篇毕津顺
  • 3篇胡云中
  • 3篇雒建斌
  • 1篇李多力
  • 1篇赵发展

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电...
刘梦新韩郑生赵超荣刘刚
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用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
文献传递
一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法
本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法，该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线，置于95...
刘梦新韩郑生赵超荣刘刚
文献传递
用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构
本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构，所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的铜引线构成的铜电阻阵列，铜引线的根数大于3，所述铜电阻阵列中铜引线首尾相串联，所述铜电阻阵列首尾端...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
文献传递
超大规模集成电路电化学镀铜技术研究
随着集成电路特征尺寸的不断减小，互连线的RC延时成为影响集成电路性能的主要矛盾。低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时。铜因为具有比铝和它的合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力成为新一代互连材料...
赵超荣
关键词：超大规模集成电路计算机仿真
一种可调整量程的堆叠测量电路
本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种可调整量程的堆叠测量电路，包括：一只或多只基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计、工作模式选择开关SW以及恒流源Isd；基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计为一只时，工作模...
刘梦新韩郑生赵超荣刘刚
具有H型栅的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOILDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
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具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
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Cu互连及其关键工艺技术研究现状被引量：5
2008年
低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时。Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料。论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状。对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论。
赵超荣杜寰刘梦新韩郑生
关键词：铜互连化学机械抛光
基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电...
刘梦新韩郑生赵超荣刘刚
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