赵景泰
- 作品数：155 被引量：196H指数：7
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- LuBO3相关体系中相变、新化合物结构研究
- Levin等人在1961年报道了LuBO同时具有两种稳定的晶体结构,即低温下的方解石相(calcite)和高温下的球霰石相(vaterite),相转变点在1310℃附近。球霰石相的品质因素高,这表明由其组装的闪烁探测器有...
- 金滕滕满振勇胡关钦赵景泰
- 文献传递
- 一种稀土钛钽酸盐基发光材料及其制备方法
- 本发明涉及一种稀土钛钽酸盐基发光材料，属于无机发光材料领域。该发光材料的化学成分符合化学通式Ln<Sub>1-y</Sub>RE<Sub>y</Sub>TiTaO<Sub>6</Sub>，其中0＜y＜0.3，所述Ln选自...
- 王娇张志军陈昊鸿杨昕昕赵景泰
- 文献传递
- 极具潜力的金属间化合物功能材料被引量：5
- 1999年
- 赵景泰宋明虎
- 关键词：金属间化合物功能材料磁性材料
- Hf_(2+x)Mo_(3-x)Si_4(x=0.3)的合成、晶体结构及成键特性
- 1999年
- 电弧熔炼方法合成了Ｈｆ２＋ｘＭｏ３－ｘＳｉ４（ｘ＝０．３），单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．化学式，Ｈｆ２．３（２）Ｍｏ２．７（２）Ｓｉ４，Ｍｒ＝７８１．９，晶体学及结构参数：正交晶系，Ｃｅ２Ｓｃ３Ｓｉ４类型，（６２）Ｐｎｍａ，ａ＝０．６５７９（１），ｂ＝１．２８１８（４），ｃ＝０．６７７８（１）ｎｍ，Ｖ＝０．５７１６（１）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝９．０８４ｇ／ｃｍ３，μ＝５０１．５５ｃｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝１３４０，Ｔ＝２９６Ｋ，对于２５个修正参数和６３７个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０７５，ｗＲ＝０．０６８．此结构中，Ｓｉ原子两两成键联接成哑铃状，Ｍｏ原子均处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心，这些配位八面体最终联接形成三维Ｍｏ－Ｓｉ网络，Ｈｆ原子则散布在网络之间沿［１００］方向的隧道中．此化合物组成和结构不符合价键规律，成键具有过渡性且原子的配位环境遵守此类化合物规律．
- 宋明虎毛少瑜宓锦校赵景泰
- 关键词：晶体结构铪合金
- 层状结构材料Mn_2P_2S_6的室温固相合成与表征被引量：2
- 1999年
- ＸＲＤ和Ｒａｍａｎ光谱表征结果显示室温固相反应成功地合成得到了Ｍｎ２Ｐ２Ｓ６层状结构材料．与传统的高温固相反应合成法相比较，具有以下优点：反应速度快、能耗低，可以得到均相产物，而且可以批量制备．关键词室温固相反应，Ｍｎ２Ｐ２Ｓ６。
- 黄种乐宓锦校姚建林赵景泰赵景泰郑兰荪
- 关键词：室温固相反应层状结构
- 一种X射线激发的硼磷酸钡发光材料及其制备方法
- 本发明提出一种X射线激发的硼磷酸钡发光材料及其制备方法，其化学组成式为Ba3BPO7。本发明所提出的制备方法包括选取含有钡源、硼源、磷源的原材料进行混合，按化学组成式配比原料后，可采用灼烧温度为800－1300℃，灼烧时...
- 吴雪艳赵景泰段成军杨昕昕陈昊鸿
- 文献传递
- 一种p型铕锌锑基热电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种p型铕锌锑基热电材料及其制备方法，属于热电材料的技术领域。本发明提出的p型铕锌锑基材料，其特征在于组成为A<Sub>x</Sub>B<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Sub>(x＝0.9-1.1，y...
- 张辉赵景泰汤美波满振勇杨昕昕
- 文献传递
- 基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究
- 2020年
- 为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450-750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.
- 李乾利胡亚华马逸凡孙志祥王敏刘小林赵景泰张志军
- 关键词：高空间分辨率
- 硅基半导体功放模块邻道干扰特性优化方法
- 2019年
- 基于硅基半导体器件的功放模块,由于器件本身物理结构特性引起的功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率的控制不当,导致调制邻道功率(Modulation of Adjacent Channel Power,ACP)以及瞬态切换邻道功率(Adjacent channel transient power,ACTP)较差,从而引起邻道干扰。针对硅基半导体器件功放模块在数字对讲机中的应用,创造性地提出了一种新的方法,对功放栅极偏置电路优化,从理论上分析和推导出功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率对ACP以及ACTP的影响,并在实际应用中通过适当调节对讲机功放模块栅极偏置电路电容以及串联电阻,实现了功放开关的上升沿以及下降沿斜率调节。实验结果表明:该方法在不影响功放输出功率以及效率的前提下,当信道间隔为12.5 kHz时,ACP<-60 dBc,ACTP<-50 d Bc,有效改善了ACP、ACTP的性能,具有一定的实际意义和应用价值。
- 张立强宋贺伦吴菲茹占强张耀辉赵景泰
- 关键词：数字对讲机偏置电路
- Gd_2Si_2O_7-Ce_2Si_2O_7体系的相关系及其发光性能被引量：2
- 2017年
- 对焦硅酸钆-焦硅酸铈(Gd_2Si_2O_7-Ce_2Si_2O_7,GPS-CPS)体系的相关系和光学性能随组分的变化进行了研究,采用固相烧结法制备了系列(Gd_(1-x)Ce_x)_2Si_2O_7(x=0%~100%)多晶样品,通过X射线衍射谱确定样品的结构,通过真空紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和荧光衰减谱对样品的光学性能表征。结果表明:纯GPS固相合成的反应路径为Gd_2O_3、SiO_2→GSAP(磷灰石相)→GPS(高温正交相)。随着Ce浓度的增加,GPS:Ce多晶样品呈现正交→三斜→单斜的变化特点:Ce掺杂量在8.00%~10.00%范围时,样品为两相区,正交、三斜相共存。同时,GPS:0.50%Ce样品发光效率最高。GPS:Ce样品的发光过程存在Gd^(3+)→Ce^(3+)的能量传递,导致Ce^(3+)发光中慢分量的出现,且随着Ce浓度的增加,传递效率逐渐降低。
- 万欢欢冯鹤肖丰张志军徐展赵景泰
- 关键词：相关系发光性能闪烁体
