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赵川

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：武警成都指挥学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇可集成
  • 1篇SIMOX
  • 1篇SIMOX材...
  • 1篇SOI
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇武警成都指挥...

作者

  • 1篇赵川
  • 1篇卓碧华

传媒

  • 1篇西南民族大学...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于SIMOX材料的可集成高压器件研究
2009年
通过增加一次高压注入,对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展.在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件,实现了低压CMOS与高压LDMOS的单片集成.在硅膜厚度为205nm、埋氧层厚度为375nm的SIMOX材料上,研制出阈值电压、击穿电压分别为1.3V、38V的高压LDMOS.此高低压兼容SOI技术可将高低压器件单片集成,节约了芯片成本,提高了可靠性.
赵川卓碧华
关键词：SOISIMOXLDMOS
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