胡作启
- 作品数：66 被引量：110H指数：6
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种BP神经网络学习电路
- 本发明公开了一种BP神经网络学习电路。该电路主要包含了求差电路模块、求和电路模块、权值存储电路模块和权值刷新电路模块。其中求差电路主要是做一个误差计算，求和电路则是完成权值电压累加功能，权值存储电路是在电容两端存储当前权...
- 胡作启章志强刘普昌李阳祝捷
- 文献传递
- La_2O_3掺杂BST/Mg_2TiO_4微波复合陶瓷的制备和性能被引量：2
- 2011年
- 用固相烧结法制备掺杂La_2O_3的Ba_(0.55)Sr_(0.45)TiO_3/Mg_2TiO_4微波复合陶瓷,研究了掺杂对其微观结构、微波(f=10 GHz)介电性能和调谐率的影响。结果表明:当掺杂La_2O_3量(质量分数)为1.2%时,La^(3+)进入BST晶格,且抑制了BST/Mg_2TiO_4中Ti从+4向+3价转化;La_2O_3的掺入比较明显地降低了介电常数和微波损耗,当掺杂La_2O_3量为1.2%时介电常数为52,损耗角为0.0011(f=10 CHz),调谐率13.6%(3 kV/mm)。
- 王成胡作启伍双杰王庆赵旭
- 关键词：无机非金属材料固相烧结法
- 磁光直接重写技术原理分析被引量：2
- 1998年
- 讨论了磁光记录直接重写技术的两种主要机理，即磁场调制直接重写和光强调制直接重写，分析了它闪的优缺点。并对多层膜交换耦合原理及其在光强调制直接重写中各层的作用进行了详细讨论。光强调制技术具有更多方面的优越性，它将是未来提高磁光数据传输率的主要研究方向。
- 易开军李佐宜熊锐胡作启
- 关键词：磁光数据传输率磁光存储
- 一种大圈长准循环半随机LDPC码设计方法及系统
- 本发明属于编码技术领域，公开了一种大圈长准循环半随机LDPC码设计方法。本发明通过设计圈长不小于8和10的LDPC码，增强对噪声和信道干扰的容错能力，从而提高通信系统的可靠性和性能。通过编码，原始数据被转换为编码字，其中...
- 陶雄飞陈健文胡作启李园园
- 改进的谐振腔微扰法测定电介质X波段介电常数被引量：4
- 2010年
- 针对谐振腔微扰法对电介质材料介电性能进行测量时,要求测试过程满足微扰条件,即待测样品的介电常数或体积较小的情况,研究了谐振腔微扰法测试微波材料的原理,通过改变待测样品的体积及标定修正对应的微扰计算公式,使其满足对高介电常数材料的测量.对电介质块材与薄膜样品进行了测量,结果显示,谐振频率偏移小于100MHz,标定的计算公式精度较高.改进后的测量方法可以增大谐振腔微扰法的测量范围,适用于高介电常数陶瓷块材与薄膜的介电常数、介电损耗的微波频率测量.
- 胡作启伍双杰王成王庆
- 关键词：谐振腔介电常数微波测量钛酸锶钡
- 一种基于NB-IOT的高压电缆低功耗在线监测设备
- 本发明公开了一种基于NB‑IOT的高压电缆低功耗在线监测设备，包括电流传感器、AD转换模块、主控芯片、PC终端、上位机、NB‑IOT无线通信模块、传感器组和电源管理模块。本发明通过主控芯片将所需的各种数据通过设备工作模式...
- 刘卫忠邱一帆冯卓明陶雄飞胡作启李园园
- 文献传递
- 相变随机存储器存储单元结构设计被引量：4
- 2009年
- 为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限元法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触式结构具有更低的写信息脉冲电流,是降低相变随机存储器写信息脉冲电流幅值的一种有效存储单元结构.
- 胡作启袁成伟李兰
- 关键词：相变存储器热分析有限元法
- 静态磁光薄膜表面温度场的有限元法分析
- 1998年
- 建立了磁光薄膜在脉冲激光作用下的传热模型，利用有限元法对磁光薄膜表面的温度场进行了模拟计算，讨论了磁光薄膜在不同环境温度下的升温特性，这些结果可以用于对磁光薄膜宽温化、表面温度特性、磁光记录畴尺寸和表面形貌等的研究。
- 杨晓非李佐宜熊锐胡作启彭子龙
- 关键词：有限单元法磁光存储磁记录
- 光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究被引量：1
- 2000年
- 本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。
- 王可李佐宜胡作启林更琪熊锐杨晓非李震王翔易开军朱全庆胡煜
- 关键词：光调制
- 新型相变随机存储器单元仿真系统
- 2009年
- 为研究相变随机存储器（PCRAM）的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4～150 ns和0.25～3.00 V之间可调的脉冲,适用于对多种结构存储元进行仿真.边缘接触式结构存储单元仿真结果表明：研制的系统能对存储单元的读、写性能进行评估,并为电路和存储元设计提供数据.
- 胡作启李兰袁成伟
- 关键词：相变存储仿真系统物理仿真有限元法
