您的位置： 专家智库 > >

田晓丽

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电子束曝光
  • 6篇淀积
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米尺寸
  • 6篇光刻
  • 6篇存储器
  • 4篇光刻分辨率
  • 4篇硅衬底
  • 4篇衬底
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻胶
  • 2篇干法刻蚀

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇杨富华
  • 6篇田晓丽
  • 6篇张加勇
  • 6篇王晓东

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，该步工艺中的侧墙材料是光刻胶，然后再一次利用侧墙工艺制备...
张加勇王晓峰田晓丽杨富华王晓东
文献传递
一种纳米尺寸相变存储器的制作方法
本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米...
张加勇王晓峰田晓丽杨富华王晓东
一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充...
田晓丽王晓峰张加勇杨富华王晓东
一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充...
田晓丽王晓峰张加勇杨富华王晓东
文献传递
一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，该步工艺中的侧墙材料是光刻胶，然后再一次利用侧墙工艺制备...
张加勇王晓峰田晓丽杨富华王晓东
一种纳米尺寸相变存储器的制作方法
本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米...
张加勇王晓峰田晓丽杨富华王晓东
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0