王峰瀛
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 氢等离子体处理对非晶氮化铝薄膜场发射性能的影响
- 用氢等离子体(H Plasma)对非晶氮化铝(a-AlN)薄膜进行处理并研究了其场发射性能。实验表明:等离子体处理后薄膜表面粗糙度增大,但是场发射性能降低。当电场强度为70V/μm时,场发射电流密度从70.7μA/cm降...
- 王峰瀛王如志赵维宋雪梅王波严辉
- 关键词：场发射氮化铝
- 文献传递
- 碳纳米管场电子发射性能不稳定性的分析
- 2008年
- 利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备了多壁碳纳米管,并测试了它的场电子发射性能,发现碳纳米管的场电子发射性能在测量过程中发生了变化。利用X射线能谱仪对碳纳米管进行了表征,结果表明氧吸附在碳纳米管上。氧的吸附导致了碳纳米管的功函数发生了变化,造成碳纳米管场电子发射性能不稳定。同时,本工作还分析了氢的吸附可能对碳纳米管场电子性能的影响。因此,本工作对碳纳米管在微电子领域的应用有一定的意义。
- 王必本王峰瀛党纯
- 关键词：碳纳米管场电子发射氧吸附
- 铝镓氮半导体薄膜制备及场发射性能研究
- 本论文针对当前薄膜型场发射冷阴极研究的热点问题——如何提高场发射电流密度并降低阈值电压，分别从厚度、表面以及结构调制的角度，研究各种因素对其场发射性能的影响。一方面旨在通过调制优化器件结构，促进真空微电子器件的应用;另一...
- 王峰瀛
- 关键词：铝镓氮半导体薄膜场发射性能电荷密度电子散射
- 文献传递
- 非晶氮化镓纳米超薄膜PLD制备及其场发射性能被引量：1
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了非晶氮化镓(a-GaN)5 nm超薄膜及300 nm普通薄膜并研究了其场发射性能.实验表明:较之于普通非晶GaN薄膜,a-GaN纳米超薄膜具有更为优异的场发射特性,在设定阈值电流密度为1μA/cm^2时,其阈值电场仅为0.78 V/μm(为目前报道的GaN薄膜场发射最好结果);而当所加的电场为3.72 V/μm时,发射电流密度高达42 mA/cm^2.研究结果从实验上验证了基于宽带隙半导体超薄膜场发射的理论机制(Binh等.Phys Rev Lett,2000,85(4):864 867),即由于超薄膜导致的阴极表面势垒显著降低,从而极大地增强了场发射性能.
- 王峰瀛王如志赵维宋雪梅王波严辉
- 关键词：场发射功函数
