王培吉
- 作品数：63 被引量：216H指数：9
- 供职机构：济南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 溶胶-凝胶法制备掺钙钛酸锶铋铁电薄膜被引量：11
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Ca_xSr_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)(C_xS_(1-x)BT,x=0～1)铁电薄膜。研究了不同Ca^(2+)取代量对薄膜的微观结构、取向生长、铁电性能以及介电性能的影响。结果表明:当Ca^(2+)取代量为x=0.4时,C_(0.4)S_(0.6)BT铁电薄膜样品在一定程度上沿α轴择优取向;样品致密性较好,晶粒呈球型,且大小均匀,尺寸约为100nm。C_(0.4)S_(0.6)BT薄膜的剩余极化强度为8.37μC/cm^2,矫顽场强为72kV/cm:在1Hz～1MHz频率范围内,相对介电常数为234～219,介电损耗为0.009～0.073。
- 范素华徐静胡广达王培吉张丰庆
- 关键词：溶胶-凝胶法铁电性能介电性能
- 第一性原理计算分析SnO_2电子结构和光学性质被引量：13
- 2009年
- 应用密度泛函理论的第一性原理,采用线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,FP-LAPW)的方法计算SnO2材料的电子态密度,能带图,得出总态密度各部分分别由Sn和O原子的相应分态贡献所得。分析其光学性质,发现反射率和吸收谱等谱线的峰值与介电函数虚部峰值对应,各峰值与电子跃迁吸收有关。从理论上指出其光学性质与电子结构之间的内在关系,并与有关参考文献作比较,为以后SnO2材料的深入研究提供理论依据。
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度光学性质介电函数
- 一种新型染料敏化太阳电池光阳极
- 一种基于一维有序纳米ZnO/TiO<Sub>2</Sub>核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极，包括在生长有透明导电膜ITO(2)的透明玻璃衬底(1)上生长ZnO纳米薄膜层(3)，在ZnO纳米薄膜层...
- 黄金昭魏显起李萍李世帅张仲王培吉
- 利用激光光热技术研究材料应力对热扩散率的影响被引量：3
- 2003年
- 根据光热光谱技术中的激光光热平行检测技术测量了材料具有应力时的热扩散率 ,根据所检测到的光热信号的振幅 ,由非线性拟合 ,确定出材料的热扩散率 ;由于入射光束移动的方便性 ,可实现对材料的点点测量 ,进而测量了材料在应力作用区域不同点上的热扩散率 ,结果发现当材料内存在应力时 ,造成材料的热扩散率变小 ,且随应力起伏变化而变化。同时设计了数据采集软件与双差电路 。
- 王培吉张仲范素华
- 关键词：激光技术热扩散率应力
- 利用激光光热技术研究钛酸钡材料的导热性能被引量：7
- 2006年
- 利用激光光热偏转技术测量了钛酸钡材料的热扩散率。根据所测量材料的光热光偏转信号,通过最小二乘法中的非线性拟合,直接拟合出了材料的热扩散率,克服了光热偏转技术中“Mirage effect”步骤多、计算复杂、误差大的缺点。测量了在不同成型压力和不同烧结温度下钛酸钡材料的热扩散率,得到了热扩散率随成型压力和烧结温度的变化规律。对实验结果进行了分析和讨论。
- 王培吉周忠祥梁伟张奉军张仲范素华
- 关键词：钛酸钡热扩散率
- 钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电性能影响的研究被引量：5
- 2002年
- 研究了微量钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电常数、介电损耗以及温度稳定性等介电性能的影响。利用XRD、SEM等现代分析手段分析了材料的显微结构 ,分析了显微结构与材料介电性能的关系 。
- 范素华王培吉黄世峰罗雄兵郭桂芬
- 关键词：钽掺杂介电性能
- 全息光聚合法制备聚合物波导光栅耦合器被引量：1
- 2007年
- 在光通信及集成光学中,光波耦合器是关键器件之一。本文中选择树脂CN960E60单体作为聚合体系,采用自由基型对532nm波长敏感的单光子引发剂,利用全息光聚合法制备出聚合物波导光栅耦合器。在进行聚合实验之前,首先测定了聚合材料的透射光谱。实验观测结果证实了用光全息聚合方法制作波导光栅耦合器的可行性。
- 王勇王玉荣李萍王培吉王永瑛
- 关键词：波导光栅耦合器全息干涉光聚合
- Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析被引量：17
- 2012年
- 本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
- 逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
- 关键词：电子结构态密度光学性质
- Sn_(1-x)N_xO_2材料光电性质的研究
- 2011年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似(GGA)下的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部。计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动,随着掺杂量的增加,Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强,禁带宽度逐渐减小,并且在1.35～2.50 eV的能量范围上形成了杂质带,其主要来源是N的2p态上的电子。分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体,掺杂后其介电函数谱和折射率也与带隙相对应地发生红移,介电谱的跃迁峰与电子从价带到导带的跃迁有关,从理论上指出光学性质与电子结构之间的内在关系。
- 张国莲逯瑶冯现徉张昌文王培吉
- 关键词：光电性质第一性原理
- 膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。
- 范素华张伟王培吉张丰庆冯博楷马建平
- 关键词：ND掺杂SOL-GEL法膜厚
