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潘健峰

作品数:4 被引量:13H指数:3
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:安徽省高等学校青年教师科研项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇聚硅烷
  • 3篇硅烷
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学合成
  • 1篇英文
  • 1篇烧蚀
  • 1篇烧蚀性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷先驱体
  • 1篇助剂
  • 1篇先驱体
  • 1篇氯硅烷
  • 1篇聚醚
  • 1篇抗氧化
  • 1篇甲基二氯硅烷
  • 1篇冠醚
  • 1篇二甲基二氯硅...
  • 1篇二氯硅烷
  • 1篇反应活性
  • 1篇反应速率

机构

  • 4篇上海大学
  • 1篇安徽建筑工业...

作者

  • 4篇张家宝
  • 4篇潘健峰
  • 4篇周春节
  • 4篇任慕苏
  • 4篇孙晋良
  • 4篇陈来
  • 2篇吴市
  • 2篇钱林
  • 1篇李金辉
  • 1篇张峰君
  • 1篇李现府
  • 1篇花永盛
  • 1篇高孟娇

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇有机硅材料
  • 1篇宁波化工
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
陶瓷先驱体聚硅烷的合成及应用
2009年
聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的高聚物,作为陶瓷前驱体,经高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其用途之一。本文对陶瓷先驱体聚硅烷的合成和应用的近期发展做了简要概述。
花永盛陈来李现府高孟娇张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
关键词:陶瓷先驱体聚硅烷
电化学合成聚硅烷的反应速率被引量:3
2008年
采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT—IR,UV,^1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si—Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si—Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%~15%;在电化学合成聚硅烷的过程中。单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂葸的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。
吴市张峰君钱林陈来张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
关键词:聚硅烷电化学合成反应速率
助剂对二甲基二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响被引量:3
2005年
以二甲基二氯硅烷为反应单体、甲苯为溶剂 ,在超声波下 ,通过Wurtz法合成了聚硅烷。研究了助剂种类对该聚合反应的影响。结果表明 ,在甲苯溶剂中加入冠醚、二乙二醇二甲醚、六甲基磷酰三胺、聚醚等助剂可使该聚合反应在 80℃的较低温度下快速进行 ,从而降低了该聚合反应的危险性 ;冠醚、二乙二醇二甲醚、聚醚、六甲基磷酰三胺等对该聚合反应的促进作用 ,证明该反应活性中间体是阴离子活性体 ,该反应机理更倾向于阴离子聚合 ;冠醚的加入可极大地加快二甲基二氯硅烷的聚合反应 ;二甲基二氯硅烷加入后 ,反应立即进行 ,并放出大量的热 ,可根据反应温度的变化控制单体的滴加速率 ,防止爆聚现象出现 。
李金辉陈来潘健峰张家宝周春节任慕苏孙晋良
关键词:二甲基二氯硅烷助剂聚醚冠醚聚硅烷反应活性
先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能(英文)被引量:7
2008年
用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-O2火焰法检测其烧蚀性能。结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%。密度为1.75 g/cm3的C/C–SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%。基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。
吴市陈来钱林张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
关键词:烧蚀抗氧化
共1页<1>
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