您的位置： 专家智库 > >

林贯军

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇金属
  • 4篇化学沉积
  • 4篇贵金属
  • 3篇纳米
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 2篇导体
  • 2篇导体表面
  • 2篇信号
  • 2篇信号发生
  • 2篇信号发生器
  • 2篇压痕
  • 2篇探测器
  • 2篇图形化
  • 2篇品质因子
  • 2篇微悬臂梁
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇磷化镓
  • 2篇纳米压痕

机构

  • 10篇山东大学

作者

  • 10篇林贯军
  • 9篇刘铎
  • 9篇张茜
  • 6篇赵东方
  • 6篇贾冉
  • 3篇徐现刚
  • 2篇左致远
  • 1篇冯兆斌
  • 1篇左志远

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种利用发光二极管阵列实现微悬臂梁高阶共振激发的方法及应用
利用发光二极管阵列实现微悬臂梁高阶共振激发的方法及应用，发光二极管阵列对微悬臂梁进行频率照射，所述微悬臂梁产生频率振动信号。由函数信号发生器输出的频率为f/N相位差为2π/N的相同振幅且加一偏压的交流信号分别控制N个发光...
刘铎高乃坤林贯军张茜林晓煜赵东方贾冉
文献传递
一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法
本发明提供一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法，该方法为：利用纳米级图形化蓝宝石衬底作为模板，通过对图形化蓝宝石衬底与发光二极管外延片施加载荷，从而在发光二极管外延片的磷化镓窗口层获得大面积周期性纳米压痕结构，...
刘铎林晓煜林贯军张茜赵东方贾冉高乃坤
文献传递
一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法
本发明涉及一种利用双光束干涉辅助实现发光二极管表面图形制备的方法，该方法为：利用激光干涉光路照射在发光二极管外延片待腐蚀表面：通过调节激光干涉光路在所述发光二极管外延片待腐蚀表面形成光干涉图形，结合现有湿法腐蚀法对发光二...
刘铎林贯军左志远冯兆斌张茜林晓煜徐现刚
文献传递
基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法及其应用
本发明涉及一种基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法与应用。该方法以半导体晶片或薄膜为基底，通过对半导体表面进行图形化处理，利用缺陷位置具有高化学活性的特定进行激光辅助的化学沉积，可在半导体表面获得...
刘铎赵东方林晓煜高乃坤林贯军贾冉张茜
文献传递
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构及其提高GaInP基太阳能电池光吸收的应用
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构，包括在太阳电池表面n型AlInP层上制备出贵金属纳米结构。所述贵金属纳米结构为Ag纳米结构，所述Ag纳米结构的直径为10-50nm，所述Ag纳米结构的分布密度为2.0×10<Sup>...
刘铎张茜林贯军左致远林晓煜徐现刚
文献传递
GaP表面的等离激元结构及光化学加工方法研究
近年来半导体材料和技术的发展极大的改变了我们的社会和生活。以GaP、GaN和GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料以其独特的能带特征和较高的电子迁移率已经得到广泛的应用。随着能源问题越来越严峻，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导材料在...
林贯军
关键词：金属纳米结构
文献传递
一种利用发光二极管阵列实现微悬臂梁高阶共振激发的方法及应用
利用发光二极管阵列实现微悬臂梁高阶共振激发的方法及应用，发光二极管阵列对微悬臂梁进行频率照射，所述微悬臂梁产生频率振动信号。由函数信号发生器输出的频率为f/N相位差为2π/N的相同振幅且加一偏压的交流信号分别控制N个发光...
刘铎高乃坤林贯军张茜林晓煜赵东方贾冉
文献传递
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构，包括在太阳电池表面n型AlInP层上制备出贵金属纳米结构。所述贵金属纳米结构为Ag纳米结构，所述Ag纳米结构的直径为10‑50nm，所述Ag纳米结构的分布密度为2.0×10<Sup>...
刘铎张茜林贯军左致远林晓煜徐现刚
文献传递
一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法
本发明提供一种利用纳米压痕提高发光二极管光提取效率的方法，该方法为：利用纳米级图形化蓝宝石衬底作为模板，通过对图形化蓝宝石衬底与发光二极管外延片施加载荷，从而在发光二极管外延片的磷化镓窗口层获得大面积周期性纳米压痕结构，...
刘铎林晓煜林贯军张茜赵东方贾冉高乃坤
文献传递
基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法及其应用
本发明涉及一种基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法与应用。该方法以半导体晶片或薄膜为基底，通过对半导体表面进行图形化处理，利用缺陷位置具有高化学活性的特定进行激光辅助的化学沉积，可在半导体表面获得...
刘铎赵东方林晓煜高乃坤林贯军贾冉张茜
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0