杨亚军
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究被引量：2
- 2007年
- 多孔硅电致发光性质的研究对于实现硅基光电集成具有重要的应用价值。采用蒸镀-阳极氧化法制备了多孔硅异质结(ITO/PS/p-Si/Al)电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,并给出了该器件的发光和电学性能的测量结果。结果表明,要制备较好发光性能和伏安特性的多孔硅电致发光器件,顶部电极应同时具有较高的透光率和电导率。
- 杨亚军李清山刘宪云
- 关键词：光电子学电致发光多孔硅
- 脉冲激光沉积法制备ITO薄膜及性质研究被引量：6
- 2007年
- 本文采用脉冲激光沉积法（PLD）制备了ITO导电薄膜，并对其形貌、光学性质和电学性质进行了研究。结果表明，使用PLD方法制备的ITO导电薄膜在可见光区的平均透光率约为80％，方块电阻在100—200Ω／□之间。当衬底温度控制在300℃，氧压控制在1．33Pa时，可以得到具有较高透光率和电导率的ITO导电薄膜。
- 杨亚军李清山刘宪云
- 关键词：脉冲激光沉积ITO薄膜透光率方块电阻
- 退火对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜结构和光致发光的影响被引量：6
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在n-Si（100）衬底上制备ZnO薄膜并从三个方面对其研究。X射线衍射结果表明，在含氧气氛中退火的ZnO薄膜为多晶六角纤锌矿结构，有明显的c轴择优结晶取向；退火时间的长短和温度的高低对结晶取向性和粒径均有较大影响，通过进一步的研究发现最佳处理温度在500℃左右。用扫描电子显微镜观察样品的表面和侧面形貌，晶体的生长比较均匀，粒径平均在70—160nm范围内，与XRD测量结果相一致。室温下ZnO胶体的光致发光谱表明，随着胶体老化时间的延长，胶体的紫外峰位发生了蓝移。室温下ZnO薄膜的光致发光谱表明，紫外部分的发光峰位在365，390nm，发光强度较强；在可见光区的发光强度相对较弱，但是还没有被氧完全抑制掉。
- 张宁李清山赵波王璟璟陈达杨亚军郑学刚石明吉齐红霞
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜退火光致发光
- 无氢类金刚石膜的光致发光特性研究被引量：1
- 2005年
- 使用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了系列无氢类金刚石(DLC)薄膜,测量了样品的Ram an光谱、光吸收和光致发光,研究了光致发光与制备条件的依赖关系。结果表明,这种薄膜是有少量sp2键和sp3键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1.68~2.46 eV,发光在可见光区呈宽带结构。沉积温度对类金刚石薄膜的结构和发光性质有较大影响。当沉积温度从室温升高至400℃时,sp2团簇的长大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小。
- 陈达李清山王璟璟郑学刚赵波张宁杨亚军石明吉
- 关键词：脉冲激光沉积类金刚石薄膜拉曼光谱光致发光
- 多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响被引量：3
- 2006年
- 应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.
- 杨亚军李清山刘宪云张宁赵波郑学刚石明吉陈达王璟璟
- 多孔硅电致发光特性研究
- 单晶硅是现代半导体器件集成电路和微电子学领域中最主要的材料，制备硅基发光材料，实现硅基上的光电集成，成为人们梦寐以求的事情，但是由于单晶硅的禁带宽度为1.12eV，且为间接带隙材料，在室温下是不能有效发光的，从而限制了它...
- 杨亚军
- 关键词：多孔硅光致发光电致发光异质结伏安特性
- 文献传递
