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李谦

作品数:117 被引量:207H指数:8
供职机构:河南科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河南省科技发展计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 48篇微波介质陶瓷
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  • 42篇介电性能
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 6篇2008
  • 2篇2007
  • 7篇2006
  • 13篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
117 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7陶瓷结构与介电性能的影响被引量:5
2005年
研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌。结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε。1000℃烧结8%(摩尔分数)Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ=4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃。
周焕福黄金亮王茹玉李谦黄清伟
关键词:烧结特性显微结构介电性能
ZnS∶Er纳米晶的水热合成及其性能研究
2016年
该文以硫代乙酰胺为硫源,采用水热法合成了ZnS∶Er纳米晶。并用X线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X线光电子能谱仪(XPS)、荧光光谱仪对其物相、形貌、组成及光学性能进行了表征。结果表明,ZnS∶Er纳米晶为立方闪锌矿结构,粒径约为5nm。由XPS图谱可知,ZnS∶Er纳米晶中存在Zn、S、C、O、Er等元素。ZnS∶Er纳米晶荧光光谱中出现了2个主要发射峰,分别位于469nm和583nm处。两发射峰的发光强度随着pH的升高而增强且发光峰的位置存在微弱的蓝移,pH=12时,两发射峰的荧光强度最强;随着Er3+掺杂量的增加,469nm处发射峰的强度先增强后减弱,583nm处发射峰的强度随之减弱。
余凤阁黄金亮李丽华顾永军李谦
关键词:硫代乙酰胺碱性条件
铌含量对LF9合金性能的影响
2008年
研究了不同Nb含量的LF9合金经固溶十二次时效处理后的力学性能。结果表明,随Nb含量增加,合金的室温和高温强度提高,塑性及韧性下降。经960℃固溶+二次时效后,合金中的主要强化相为目相,随着Nb含量增加,叩相数量增多,形态由短片状变为长片层状。经1020℃固溶+二次时效后,合金中的主要强化相为(γ′ +γ″),随着Nb含量增加,呀相形态从微量的颗粒状变为大量的短片状,对提高合金强度起到了重要作用。经(960-1020℃)固溶+二次时效后;合金中(γ′ +γ″)相的尺寸主要为10~100nm。
吴艳阳程世长刘正东富晓阳李谦
关键词:NB含量Η相
微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性被引量:11
2005年
为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能。
顾永军孙道明李谦黄金亮周焕福殷镖
关键词:微波介质陶瓷液相烧结掺杂改性微波元件陶瓷研究节电性能
低温共烧锆酸钙微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种低温共烧锆酸钙微波介质陶瓷材料,由CaZrO<Sub>3</Sub>为基料、Li<Sub>2</Sub>O-B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiO<Sub>2</Sub>烧结助剂和粘...
李谦李栋金彪黄金亮顾永军胡婧雯贾玉鑫冯剑
文献传递
磁微粒子Fe_3O_4纯化CdS纳米晶的实验研究
2010年
以L-半胱氨酸、醋酸镉为原料,在磁微粒子Fe3O4存在下,通过水热法合成出CdS纳米晶与磁微粒子连接混合体,利用磁微粒子的磁性对合成的CdS纳米晶进行分离纯化,然后加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、3-巯基丙酸使磁微粒子与硫化镉纳米晶分离。对产品进行了详尽的XRD、SEM、HRTEM及EDS能谱表征分析,并测试了纯化前后样品的荧光激发谱与荧光发射谱,荧光光谱显示获得预期的纯化效果。
许荣辉肖发新文九巴李谦苏怀建白宪伟
关键词:CDS纳米晶纯化水热法
ZnO-B_2O_3-SiO_2掺杂对锆酸钙基陶瓷性能的影响被引量:4
2013年
研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、微观组织形貌和介电性能的影响。结果表明:通过掺杂ZBS,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 550℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达97.8%。当ZBS添加量为质量分数15%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3 h获得良好的介电性能:εr=25,Q·f=8 584 GHz,τf=–45×10–6/℃。
李栋李谦黄金亮顾永军
关键词:微波介质陶瓷介电性能液相烧结
微波合成四钛酸钾晶须被引量:2
2016年
采用微波加热工艺,以K_2CO_3和TiO2为原料合成了K_2Ti_4O_9晶须。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对材料的相组成及微观形貌进行表征,研究K_2O和TiO_2物质的量比、微波加热温度及保温时间对合成K_2Ti_4O_9晶须物相及形貌的影响。研究结果表明:n(K_2O)∶n(TiO_2)为1∶3.0时,850℃微波加热15 min合成的K_2Ti_4O_9晶须,大小均匀,直径0.5~1.0μm,长25~40μm,长径比大于30。与常规加热相比,合成温度降低了150℃,同时大大缩短了工艺周期。
张盼盼李谦黄金亮李丽华顾永军
关键词:微波合成微观形貌
掺杂改性在微波介质陶瓷中的应用
2005年
综述了近年来微波介质陶瓷研究中掺杂改性的应用概况。掺加烧结助荆多用来降低微波介质陶瓷的烧结温度,取代常常用来调整材料的介电性能和温度系数。根据以往所得出的掺杂改性对陶瓷的影响,调节材料的性能以满足使用的需要是研究的热点。
孙道明李谦黄金亮
关键词:微波介质陶瓷掺杂改性介电常数
锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能被引量:2
2006年
制备了SnOx(1(?)x(?)2)薄膜,研究了氧化温度对薄膜形貌、结构及性质的影响.结果表明,SnOx薄膜表面光滑、厚度均匀且致密,由纳米尺寸、分布均匀的晶形颗粒组成,颗粒粒径随着氧化温度的升高而逐渐变大;SnOx薄膜电极初始可逆容量随着氧化温度的升高而降低,首次容量损失则随氧化温度的升高而增大.在温度为600℃氧化2 h,SnOx薄膜的可再充放电性能最好.
赵胜利文九巴李谦傅正文秦启宗
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