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李德尧

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京化工大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 4篇电阻
  • 4篇激光器结构
  • 4篇串联电阻
  • 3篇载流子
  • 3篇载流子浓度
  • 3篇受主
  • 3篇红外
  • 3篇红外辐射
  • 2篇电池
  • 2篇电阻率
  • 2篇液相
  • 2篇液相化学
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇无机复合
  • 2篇相化学
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线

机构

  • 8篇北京化工大学

作者

  • 8篇李德尧
  • 8篇许海军
  • 8篇廛宇飞
  • 5篇张书明
  • 5篇苏雷
  • 5篇朱建军
  • 3篇杨辉
  • 2篇吴超
  • 2篇韦昭
  • 2篇唐颖
  • 2篇赵德刚
  • 2篇孙晓明
  • 1篇陆宏波
  • 1篇陈博婷
  • 1篇陈家华

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射，实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法
半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法属于新能源技术领域。其特征是先利用电化学腐蚀或水热腐蚀技术制备出在可见光区域具有良好光吸收性能的纳米硅，在纳米硅衬底上利用高温化学气相沉积法或低温液相化学方法生长出氧化锌或...
许海军廛宇飞苏雷李德尧唐颖韦昭孙晓明
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该氮化镓基半导体激光器不含有电子阻挡层，因而可降低激光器的工作电压，延长激光器的寿命。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用...
李德尧许海军廛宇飞陈博婷朱建军张书明杨辉
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半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法
半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法属于新能源技术领域。其特征是先利用电化学腐蚀或水热腐蚀技术制备出在可见光区域具有良好光吸收性能的纳米硅，在纳米硅衬底上利用高温化学气相沉积法或低温液相化学方法生长出氧化锌或...
许海军廛宇飞苏雷李德尧唐颖韦昭孙晓明
文献传递
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光限制层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射，实现p型GaN波导层、p型AlGaN光限制层以及p型...
李德尧许海军朱建军张书明苏雷廛宇飞
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用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
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用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超...
李德尧许海军吴超廛宇飞朱建军赵德刚张书明杨辉
一种具有强发光性能的纳米硅的蒸汽腐蚀制备方法
本发明属于半导体技术领域。一种具有强发光性能的纳米硅的蒸汽腐蚀制备方法，其特征是将硅片置于蒸汽体积填充度为30％-85％，压强0.1MPa-2.5MPa，温度70℃-250℃高压釜内形成的蒸汽环境中蒸汽反应5分钟-190...
许海军陈家华陆宏波李德尧苏雷廛宇飞
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