李东宏
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
- 中子辐照硅的正电子湮没研究
- 1993年
- 采用正电子湮没方法研究了1.45×10^(20)n/cm^2和3.10×10^(17)n/cm^2快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在343—1073K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧-空位对和在高中子剂量辐照的Si中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ_1是晶格正电子寿命和氧-空位对捕获的正电子寿命的加权平均值,而长寿命成分τ_2是双空位或四空位捕获的正电子湮没寿命。
- 李安利岩田忠夫李东宏郑胜男黄汉臣朱升云
- 关键词：正电子湮没硅
- 在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究
- 1991年
- 文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70%的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55%的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45%的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。
- 李东宏李耀鑫朱升云
- 关键词：硅扰动角关联
- 时间微分扰动角关联技术在材料科学中的应用被引量：1
- 1998年
- 介绍了时间微分扰动角关联方法的基本原理及其在材料微观性质研究中的应用
- 朱升云左涛李安利郑胜男李东宏黄汉臣董明理慎伟奇勾振辉陈峰范志国罗起
- 国产奥氏体不锈钢冷轧缺陷和辐射损伤的正电子湮没研究
- 采用正电子湮没方法研究了聚变堆用316L 不锈钢中冷轧产生的缺陷和α和 P 辐照引起的辐射损伤。冷轧和不经冷轧不锈钢的对照测量表明,冷轧在不锈钢中产生位错,空位和空位团, 使正电子湮没寿命．τ从125ps 增加到162p...
- 李东宏郁金楠陈伊韧郑胜男张素群陈烽勾振辉朱升云
- 文献传递
- 银辐射损伤的扰动角关联研究
- 1993年
- 采用时间微分扰动角关联方法研究了由^(109)Ag(α;2n)反应产生的反冲核^(111)In在银中产生的辐射损伤及其退火现象和治愈效应。反冲核在银中产生单空位,实验观察到频率为76.2MHz的恒定的四极相互作用;经673K退火,恒定的四极相互作用消失,作用在探针核上的只是远处缺陷产生的电场梯度分布;经873K退火,辐射损伤全部消失。银中辐射损伤与治愈时间关系测量表明,经360h治愈,探针核仍直接捕获缺陷,但相对成分减小到1/3.5;电场梯度分布宽度随治愈时间增长而减小,150h后,不随治愈时间而变。治愈主要发生在辐照后2—10d。
- 朱升云左涛李东宏
- 关键词：扰动角关联退火银
- BaF_2闪烁探测器在扰动角关联和角分布研究中的应用
- 1990年
- 本文介绍了BaF_2探测器在高分辨时间微分扰动角关联和角分布研究中的应用。可以采用核态寿命为几个ns的探针核,并能精确地测定很高的超精细相互作用频率。利用中间态半寿命为3.4ns的^(99)Tc探针核对YBaCuO,超导体的研究显示了BaF_2探测器在时间微分扰动角关联和角分布研究中的应用潜力和优点。
- 朱升云李安利郑胜男黄汉臣李东宏杜鸿善丁洪林
- 关键词：角关联角分布
- 高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
- 1994年
- 采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。
- 朱升云李安利黄汉臣李东宏郑胜男勾振辉
- 关键词：硅正电子湮灭退火
