朱魁鹏
- 作品数：3 被引量：21H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究被引量：1
- 2008年
- 以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现S-W效应,由于RTS噪声的存在,样品电阻会出现随机性波动。
- 杨利霞吴志明李世彬蒋亚东朱魁鹏李伟廖乃镘
- 关键词：氢化非晶硅硼掺杂噪声等离子体增强化学气相沉积
- 衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内.
- 李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：非晶硅光学常数
- 气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响被引量：11
- 2008年
- 采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律。光谱式椭偏仪中用Forouhi Bloomer（FB）模型拟合得到薄膜的折射率（n），消光系数（k），厚度及光学禁带Eg，并用扫描电镜（SEM）断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证。根据Tauc公式推出薄膜的光学禁带宽Eg和截止波长，并和FB模型得到结果进行了比较，Eg（FB）和Eg（Tauc）的差值在11meV内。原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）表征了工作气体压强对a-Si：H薄膜微结构的影响。
- 李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：非晶硅沉积速率
