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朱腾

作品数：3 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇硅
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇AS
  • 1篇荧光
  • 1篇体硅
  • 1篇微区分析
  • 1篇硅材料
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体硅
  • 1篇半导体硅材料
  • 1篇XRF
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线荧光
  • 1篇砷
  • 1篇锗
  • 1篇SRXRF

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 3篇朱腾
  • 3篇刘亚雯
  • 3篇袁汉章
  • 3篇闻莺
  • 2篇魏成连
  • 2篇吴强
  • 1篇胡金生

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇核技术
  • 1篇分析试验室

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究被引量：7
1994年
本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性，掺杂元素向单晶中心区域富集，这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。
闻莺袁汉章朱腾刘亚雯
关键词：半导体硅锗微区分析
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量：1
1992年
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：XRF硅砷
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：3
1994年
利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：X射线荧光硅
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