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朱红清

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇性能研究
  • 2篇砷化镓
  • 2篇通信
  • 2篇离子注入
  • 2篇光电
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤通信
  • 2篇SI
  • 2篇GAA
  • 1篇电路
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇再结晶
  • 1篇集成电路
  • 1篇光电材料
  • 1篇光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇APD
  • 1篇BF
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇北京师范大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 4篇李国辉
  • 4篇朱红清
  • 2篇姬成周
  • 2篇陈如意
  • 2篇阎凤章
  • 2篇韩德俊
  • 2篇杨茹
  • 1篇任永玲
  • 1篇夏德谦
  • 1篇仁永玲
  • 1篇刘伊犁
  • 1篇罗晏

传媒

  • 2篇北京师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究
2000年
研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（SAM－APD）的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V，反向击穿电压为2.5V，漏电不明显，p－n结特性良好。
杨茹李国辉仁永玲阎凤章朱红清
关键词：雪崩光电二极管光纤通信
BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
1992年
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。
李国辉韩德俊陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰
关键词：砷化镓离子注入
形成优质Si^＋注入SI—GaAs层的研究被引量：1
1994年
在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．
李国辉韩德俊陈如意姬成周王策寰夏德谦朱红清
关键词：砷化镓集成电路离子注入
GaAs上Ge薄膜的性能研究
2001年
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .
杨茹任永玲李国辉阎凤章朱红清
关键词：再结晶光纤通信光电材料
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