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朱晻

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇新结构

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇朱晻
  • 1篇申华军
  • 1篇王润梅
  • 1篇杨威
  • 1篇刘新宇
  • 1篇刘训春

传媒

  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
新结构InGaP/GaAs HBT的研制
本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
杨威刘训春朱晻王润梅申华军刘新宇
关键词：双极晶体管晶体管结构半导体材料
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