方测宝
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高阻GaN薄膜电阻率测量
- 建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起...
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- 关键词：电阻率测量环境温度漏电流
- 文献传递
- MOCVD高阻GaN材料中的深能级研究
- GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的特性，在材料生长和光电器件的研究中引起了广泛关注。其主要优点是禁带宽度大、耐高温、耐酸碱、抗辐射、电子饱和速度高、漂移速度高、易于形成异质结构等，在制造高温、高频、大功率微电子...
- 方测宝
- 关键词：有机金属
- MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料
- 2005年
- 采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.
- 方测宝王晓亮刘超胡国新王军喜李建平王翠梅李成基曾一平李晋闽
- 关键词：MOCVDGAN电阻率
- 微波功率器件的滤波器测试电路
- 2007年
- 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4～8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求.
- 罗卫军陈晓娟刘果果刘新宇王晓燕方测宝郭伦春王晓亮
- 关键词：滤波器测试电路阶梯阻抗
- 高阻GaN薄膜电阻率测量
- 2007年
- 建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.
- 方测宝王晓亮肖红领王翠梅冉军学李成基罗卫军杨翠柏曾一平李晋闽
- 关键词：电阻率
