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文彪

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：爆炸科学与技术国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇氧化锡
  • 3篇纳米
  • 2篇体缺陷
  • 2篇纳米复合材料
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体缺陷
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合材
  • 1篇导电
  • 1篇导电率
  • 1篇导电性
  • 1篇导电性能
  • 1篇锑掺杂二氧化...
  • 1篇锑掺杂氧化锡
  • 1篇气-液
  • 1篇气-液界面
  • 1篇纳米SNO2
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉体

机构

  • 4篇苏州大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 4篇文彪
  • 2篇王作山
  • 1篇郑敏
  • 1篇曹家雷

传媒

  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米SnO2复合材料的制备与应用
材料具有结构敏感性，纳米材料在尺寸和形貌调控的基础上，其组成和结构上的微小变化有望使材料性能发生明显的改善。因此，借助材料的组成和结构设计，以及探索新型的制备工艺已成为合成高性能纳米功能材料的主要手段。　　 本论文以氧...
文彪
关键词：纳米复合材料氧化锡晶体缺陷导电性能
文献传递
气-液界面沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）纳米粉体
2012年
以2SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用气-液界面法制备纳米ATO粉体，用粒度分析仪、X射线衍射仪、x射线光电子能谱仪及透射电子显微镜研究不同掺杂量下粉体组成、分布情况以及尺寸形貌；采用宽频介电阻抗谱仪测量不同掺杂比例样品的电性能，研究表明，采用气-液界面法制备的ATO纳米粉体粒径小、分布窄，掺杂剂分布均匀，表现出优异的电性能。当掺杂量为10At％时，所制备的粒径为10nm左右，表现出最佳的导电性能，电导率达到1．64×10-2S·cm-1。该制备方法对于其他复合纳米粉体的合成制备具有重大借鉴意义。
文彪王作山曹家雷
关键词：锑掺杂二氧化锡导电率
纳米SnO<sub>2</sub>复合材料的制备与应用
材料具有结构敏感性，纳米材料在尺寸和形貌调控的基础上，其组成和结构上的微小变化有望使材料性能发生明显的改善。因此，借助材料的组成和结构设计，以及探索新型的制备工艺已成为合成高性能纳米功能材料的主要手段。本论文以氧化锡为主...
文彪
关键词：纳米复合材料氧化锡晶体缺陷导电性
一种锑掺杂氧化锡纳米粉体的制备方法
本发明涉及一种纳米材料的制备方法，特别涉及一种锑掺杂氧化锡纳米粉体的制备方法。将SbC1<Sub>3</Sub>和SnC1<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O溶于无水乙醇中，加入分散剂，将得到的混合溶...
王作山郑敏文彪
文献传递
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