徐志伟
- 作品数:12 被引量:83H指数:5
- 供职机构:复旦大学数学科学学院更多>>
- 发文基金:上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源被引量:42
- 1999年
- 介绍了一个采用0.6μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06mm2)、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。
- 刘韬徐志伟程君侠
- 关键词:电源抑制比温度系数IC
- 一种结构新颖的压控环形振荡器被引量:5
- 2000年
- 提出了一种新颖的压控环形振荡器的电路实现结构 ,着重分析了该压控振荡器的线性度。该电路全部由 MOS管实现 ,因而易于集成在先进的片上系统中。该线性环形振荡器是片上天线无线通讯测试系统的一个部分 ,用特许半导体公司的 0 .6μm
- 徐志伟郑增钰
- 关键词:压控振荡器AOS片上系统
- 高精度拟插值算子构造技术及其应用
- 本文主要分为四部分。第一部分简单介绍了问题的提出背景及研究现状。第二部分给出了B-样条、MQ-B-样条的定义及一些重要性质;并回顾了Greville点在以它们作为基函数时所具有的良好性质;受此启发,引入广义Grevill...
- 徐志伟
- 关键词:径向基函数
- 文献传递
- 用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
- 2001年
- 提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL
- 徐栋麟郭新伟徐志伟任俊彦
- 关键词:输出驱动器电流变化率CMOSVLSI集成电路
- 用于电源接收器和信号传感器的硅基集成电感的建模与设计优化被引量:1
- 2001年
- 对于硅基集成电感进行的电磁效应分析 ,在适当的近似下 ,可以简化为电学和磁学集总参数的运算 ,基于此建立了硅基集成电感的电学方程模型 .开发了一个电源接收器的参数提取和设计优化器AntennaOptimiz er.利用这一工具 ,可以优化得到不同电路的片上电源接收器的设计参数 ,应用于近距离无线通讯领域 .给出了计算所得值与实际测试值之间的比较 .结果表明该模型在作为电源接收器或信号传感器的低频应用范围内能较好地反映现实 .
- 徐志伟张屹华闵昊郑增钰
- 关键词:RF电路集成电感等效电路
- 电荷泵电路的动态分析被引量:5
- 2001年
- 详细分析了电荷泵的动态工作特性 ,给出了电荷泵电压上升时间及瞬态电流与电路的关系。基于这些分析 ,可以得到电荷泵的功耗来源和电压上升与充电电容的关系 ,同时还对电荷泵电路的电压产生的限制作出了分析。文末给出了整个分析结果与 SPICE模拟结果的对照 ,从结果可以看出整个分析大致反应了电荷泵的实际工作情况 ,正确地体现了电荷泵的工作原理。
- 徐志伟闵昊郑增钰
- 关键词:电荷泵电路专用集成电路SPICE
- 一种非接触式IC卡控制器的设计被引量:10
- 2000年
- 介绍了 ISO/ IEC144 4 3中 Type B类型非接触式 IC卡实现抗冲突的算法 ,设计了一种适用于非接触式IC卡的具有抗冲突功能控制逻辑的 VL SI结构 ,并用 VHDL 语言进行了仿真。电路中提出了确定时间片的伪随机算法来实现抗冲突功能。用 1μm CMOS单元库进行综合 ,在 2 0 MHz时钟频率下 ,电路的规模为 70 0 0门左右 ,关键路径延时为 46 ns。该电路可应用于实际的非接触式 IC卡控制器 。
- 肖斌秦东徐志伟孙承绶
- 关键词:非接触式IC卡控制器
- 数字视频编码器用DDS的设计与实现被引量:7
- 2000年
- 提出了一种应用于数字视频编码器中直接数字频率合成器(DDS)的设计方案。通过优化调度策略,使内嵌ROM阵列的大小仅为普通方法的八分之一。仿真结果表明该方法的相位误差为0.15%,PAL制式要求产生副载波信号的SNR为66dB,NTSC制式时的SNR为64dB。
- 徐阳徐志伟闵昊
- 关键词:频率合成器视频编码器VLSIDDS
- 适合低功耗工作的MOS电荷泵被引量:7
- 2000年
- 提出了两种适合在低功耗条件下工作的电荷泵电路 ,预充电电荷泵采用预充电机制提高了电荷泵的工作效率 ;而 Domino电荷泵则采用内部电路控制电荷泵充电电容的充放电 ,不仅降低了功耗 ,同时均化了瞬态功耗。这解决了电荷泵在充电期间功耗过大的问题 ,使它们不仅能适用于有较强电源的电路 ,也可以在无源或低功耗的环境下工作。
- 徐志伟肖斌闵昊郑增钰
- 关键词:MOS电荷泵集成电路低功耗
- 用4He-H弹性反冲法分析氢元素深度分布
- 近几年来,不少领域对氢元素的分析发生了强烈兴趣,因为人们发现氢元素的含量会大大改变某些物质的特性。例如,无定型硅中氢含量(原子比)达15-35%时,无定型硅将转化为半导体,这将为大规模制造廉价太阳能电池提供了可能;钢及金...
- 承焕生周筑颖徐志伟任月华陆汉忠
- 文献传递