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徐安怀: 作品数：51 被引量：33H指数：3; 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

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双异质结双极晶体管结构: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟...; 孙浩孙晓玮艾立鹍滕腾王伟李凌云钱蓉徐安怀齐鸣

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究: InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高...; 艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣; 关键词：高电子迁移率晶体管热导率

InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究: InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“ep...; 周书星滕腾艾立鹍徐安怀齐鸣; 关键词：高电子迁移率晶体管分子束外延生长

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器: 2001年; 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０Ｗ，峰值波长为８０６～８０９ｎｍ。; 万春明徐安怀曲轶; 关键词：半导体激光器梯度折射率 GAALAS 镓铝砷

50μm InP背孔技术的DHBT器件: InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,...; 张毕禅苏永波艾立鹍徐安怀金智

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析: 2007年; InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.; 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣; 关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性

带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1: 2008年; 设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。; 艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣; 关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟

InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究: InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi...; 李家恺艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣; 关键词：分子束外延生长碳掺杂表面形貌化学特性电学特性

基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2: 2006年; 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.; 苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅; 关键词：MBE 双异质结双极晶体管

A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor: 2006年; An emitter self-aligned InP-based single heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency （fT） of 162GHz is reported. The emitter size is 0.8μm × 12μm, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0.10V,and the typical breakdown voltage at Ic = 0. 1μA is 3.8V. This device is suitable for high-speed low-power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.; 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇; 关键词：INP HBT SELF-ALIGNED