孙庆丰
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 存在自旋轨道耦合的介观小环中的持续自旋流被引量：3
- 2007年
- 文章作者研究了存在自旋轨道耦合的介观小环的平衡态性质.此前人们已经知道,在有磁通穿过的介观小环中,绕环运动的电子会产生一附加的Berry相位而导致持续电流;同样地,在仅有自旋轨道耦合的体系中,电子绕环运动也应当会产生附加的自旋Berry相位,进而驱动持续自旋流.文章作者通过对一个有正常区和自旋轨道耦合区的复合小环的计算,结果表明,无电流伴随的纯持续自旋流的确存在.文章作者指出,这持续自旋流描述真实的自旋运动,并且它能被实验观测.
- 孙庆丰谢心澄王健
- 关键词：自旋轨道耦合
- 铁磁石墨烯体系的CT不变量子自旋霍尔效应被引量：7
- 2010年
- 文章作者在垂直磁场作用下的铁磁石墨烯体系里预言了一种新类型的量子自旋霍尔效应.这量子自旋霍尔效应与自旋轨道耦合无关,体系也不具有时间反演不变性;但是有CT不变(C为电子-空穴变换、T为时间反演变换).由于量子自旋霍尔效应,体系的纵向电阻和自旋霍尔阻出现量子化平台.特别是,自旋霍尔阻的量子化平台有很强的抗杂质干扰能力.
- 孙庆丰谢心澄
- 关键词：拓扑绝缘体
- 自旋轨道耦合和自旋流
- 孙庆丰谢心澄郭鸿王健
- 文献传递
- 石墨烯p-n结在磁场中的电输运热耗散
- 2022年
- 石墨烯是一种特殊的二维材料,其独特的能带结构允许人们通过电场来调控其载流子的类型和浓度,因此,在构建双极型纳米电子器件方面具有潜在应用前景.本文基于紧束缚格点模型,利用非平衡格林函数方法及Landauer-Büttiker公式,研究了石墨烯p-n结在磁场中的电输运热耗散问题.在强磁场作用下,结的两边均处于量子霍尔相,存在拓扑保护的手性边缘态.直觉上,这种拓扑保护的手性边缘态应当是无热耗散的.但本文研究发现,当有耗散源时,尽管手性边缘态受到拓扑保护,热耗散却依然可以发生.对于完美的石墨烯,单极结输运时热耗散发生在体系边缘;偶极结输运时在体系边缘和结的界面处均可以发生热耗散.当无序存在时,无论单极结还是偶极结,无序均能增强热耗散.此外,本文还研究了不同位置处的电子能量分布,发现热耗散是否发生只取决于电子是否处于非平衡分布.这些结果表明拓扑只能保护电子的传播方向,却不能禁止热耗散的发生.
- 方静云孙庆丰
- 关键词：热耗散量子输运拓扑
- 一种输出自旋流的装置——自旋池被引量：1
- 2003年
- 文章作者设计了一种能够给未来的自旋电路提供驱动自旋流的动力装置 ,即自旋池 .该自旋池有如下四个基本特点 :(1 )有两个极能使自旋流从一个极流入 ,从另一个极流出 ,从而建立一个闭合的自旋回路 ;(2 )有一个能量源 ;(3)能保持自旋相干 ;(4 )能输出不附加任何净电荷流的纯自旋流 .值得注意的是 。
- 龙文孙庆丰
- 关键词：自旋流双量子点凝聚态物理电子器件
- 自旋轨道耦合和自旋流的研究若干进展被引量：2
- 2008年
- 近十年来,国内外科学工作者对自旋轨道耦合和自旋流作了很多深入的研究.文章介绍该领域的一些重要进展以及它的发展情况,包括介绍由自旋轨道耦合所引起的内在自旋霍尔效应和持续自旋流、自旋流的产生、自旋流的定义以及自旋流产生电场等.最后也讨论一些有待于解决的课题,以及对该领域的展望.
- 孙庆丰
- 关键词：自旋轨道耦合自旋流自旋霍尔效应
- 自旋超导态
- 2017年
- 文章综述了近几年来自旋超导领域的研究进展。自旋超导态是由电荷为零自旋非零的玻色子在低温下凝聚成的超流态。文章将介绍自旋超导态的类伦敦方程、类金兹堡—朗道方程及其BCS(Bardeen-Cooper-Schrieffer)型哈密顿量。然后利用这些方程和理论,导出自旋超导体的一些有趣现象,如:零自旋阻现象、电迈斯纳效应和自旋流约瑟夫森效应。此外,作者也讨论了一些很可能是自旋超导体的候选体系,自旋超导体的应用前景,以及该子领域的发展前景展望。
- 孙庆丰谢心澄
- 关键词：超导迈斯纳效应约瑟夫森效应石墨烯
- 点内电子-电子库仑作用会引起退相干么?
- 2005年
- 利用一个开放的多端Aharonov-Bohm (AB)装置研究了存在点内库仑作用时, 电子通过量子点时的相干性. 作者发现点内库仑作用不会引起任何退相干效应, 即电子隧穿通过量子点是完全相干的. 另外, 作者还发现, 在两端AB装置中, 电导AB振荡的振幅非对称性来源于受限的结构和库仑作用两方面. 因此, 不能把振幅的非对称性和退相干过程联系起来.
- 江兆潭孙庆丰谢心澄王玉鹏
- 关键词：库仑退相干电子隧穿相干性电导
- 二维拓扑绝缘体退相干效应研究
- 2011年
- 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理研究的热点.退相干效应对该体系的影响的研究不仅有重要的理论意义,而且也是实现未来量子器件的不可或缺的前期工作.文章作者从理论上研究了退相干对二维拓扑绝缘体特别是量子自旋霍尔效应的影响.研究结果表明,作为量子自旋霍尔效应的标志的量子化纵向电阻平台对不破坏自旋记忆的退相干效应(普通退相干)不敏感,但却对破坏自旋记忆的退相干效应(自旋退相干)非常敏感.因此,该量子化平台只能在尺寸小于自旋退相干长度的介观样品中存在,从而解释了量子自旋霍尔效应实验中所观测到的结果(见Science,2007,318:766).同时,文章作者还定义了一个新的物理量,即自旋霍尔电阻,并发现该自旋霍尔电阻也有量子化平台.特别是该量子化平台对两种类型的退相干都不敏感.这说明在宏观样品中也能观测到自旋霍尔电阻的量子化平台,因此更能全面地反映量子自旋霍尔效应的拓扑特性.
- 江华成淑光孙庆丰谢心澄
- 关键词：拓扑绝缘体退相干
