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周陈鑫

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:四川省青年科技基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 1篇单晶
  • 1篇电流
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇阻抗谱
  • 1篇交流阻抗
  • 1篇交流阻抗谱

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇周陈鑫
  • 1篇孙久勋
  • 1篇邓治军
  • 1篇周帅

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用漂移-扩散模型研究单晶有机二极管的电学性质
因为低成本和大面积的电子应用,有机半导体的研究十分热门。目前来说,对设计和开发新材料存在一个瓶颈,这就是对在有机半导体中具体的电荷传输了解不够。在有机半导形态的缺陷,或杂质通过影响间隙状态的能量分布,从而影响有机器件的性...
周陈鑫
关键词:电学性质迁移率
利用通用迁移率模型计算有机二极管的交流阻抗谱
2013年
推导出了有机二极管交流阻抗谱的公式,当迁移率为常数时的计算结果与文献中的解析公式相符合,表明推出的公式和编写的程序是正确的。进一步根据文献中与温度、载流子浓度和电场强度有关的通用迁移率模型,计算了NRS-PPV有机二极管的交流阻抗谱。结果表明阻抗的实部总是取正值,虚部总是取负值。阻抗的实部和虚部的绝对值在低频极限下的数值都是随温度和直流偏压增大而减小。实部总是频率的单调减函数,且减小的速率随温度和直流偏压增大而变慢;虚部绝对值在低温下是频率的单调减函数,在高温下将出现极大值,极值的峰高随温度和直流偏压增大而减小,极值位置相应地出现蓝移。
邓治军孙久勋周帅周陈鑫
关键词:阻抗谱
共1页<1>
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