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周世彦

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电学
  • 1篇电阻率
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外吸收
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇半导体
  • 1篇UV-VIS

机构

  • 2篇华南理工大学
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 2篇周世彦
  • 1篇庄志强
  • 1篇余红华

传媒

  • 1篇化工新型材料

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的晶粒定向生长与光学性质被引量:3
2009年
采用溶胶-凝胶法在普通化玻片上制备出高C轴择优取向的ZnO薄膜,深入研究了溶胶浓度、甩膜层数、退火温度对薄膜相结构、晶粒定向生长和紫外光吸收与可见光透射特性的影响。实验发现,在300-600℃退火范围之内,随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长取向性增强,晶粒尺寸增大;用Zn含量为0.5mol/L的溶胶使用旋涂法甩膜和经过预热处理的5层膜再经过550℃退火1h后所形成的薄膜晶粒沿C轴高度择优取向,结构系数Tc(002)达到5.1,该薄膜的平均透射率为90%。
周世彦庄志强余红华
关键词:溶胶-凝胶光学性质UV-VIS带隙
ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备与光学和电学性能研究
宽禁带ZnO半导体为直接带隙材料。其具有六方纤锌矿结构,较高的激子束缚能(60meV),室温下带隙宽度为3.37eV。高质量的外延ZnO薄膜的制备已成为宽禁带半导体集成器件的关键技术。ZnO薄膜具有良好的光电性能、强的紫...
周世彦
关键词:凝胶法制备电学低电阻率紫外吸收宽禁带半导体
文献传递
共1页<1>
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