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吕艳琼

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇压敏
  • 3篇压敏陶瓷
  • 3篇陶瓷
  • 2篇电学
  • 2篇电学性能
  • 2篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇ZNO压敏陶...
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻器
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇压敏电阻器
  • 1篇微结构
  • 1篇NB
  • 1篇NB2O5
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO压敏电...
  • 1篇ZNO压敏电...
  • 1篇FE
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇广西大学

作者

  • 3篇吕艳琼
  • 2篇邓文
  • 2篇罗洪梁
  • 2篇黄宇阳
  • 2篇闫德霖

传媒

  • 1篇广西物理

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究被引量:2
2011年
研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。
吕艳琼罗洪梁闫德霖黄宇阳邓文
关键词:ZNO压敏陶瓷电学性能正电子湮没
Nb2O5对ZnO压敏电阻器微观缺陷和电学性能的影响
本文研究了NbO含量对ZnO-BiO-TiO-NbO系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%NbO的ZnO-BiO-TiO-NbO压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低...
吕艳琼罗洪梁闫德霖黄宇阳邓文
关键词:ZNO压敏陶瓷电学性能正电子湮没
文献传递
Fe<,2>O<,3>和Nb<,2>O<,5>掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能和微结构的影响
本文以正电子湮没辐射Doppler展宽谱仪、正电子湮没寿命谱仪、扫描电镜(SEM)等为实验手段,系统研究了过渡金属氧化物Fe2O3和Nb2O5掺杂分别对ZnO—Bi2O3—SnO2—Co2O3—MnO2—TiO2—Ni2...
吕艳琼
关键词:压敏陶瓷微结构
文献传递
共1页<1>
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