别勋
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
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- 一种多层透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明的多层透明导电薄膜，包括衬底、n层金属Cu层和m层ZnO层，n层金属Cu层和m层ZnO层交替沉积在衬底上，n≥1，m≥1。采用磁控溅射法制备。多层透明导电薄膜具有的性质包括：可见光区的平均透过率大于70％，峰值透过...
- 吕建国别勋叶志镇
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- 一种近红外反射透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明的近红外反射透明导电薄膜是由交替沉积在衬底上的金属Cu层和AZO层构成的多层薄膜。采用直流磁控溅射法制备，方法简单，易操作，有利于工业化。制备的近红外反射透明导电薄膜具有高电导可见光高透明红外高反射的特点，电子载流...
- 吕建国别勋叶志镇
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- ZnO透明导电薄膜的制备及性能优化
- 氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带II-VI族化合物半导体材料，通过掺入Ga、Al等IIIA族元素能在很大程度的提升薄膜的导电性能。ZnO透明导电薄膜因其丰富的原材料储备是一种最有希望替代ITO的透明导电氧化物，在平板显示器...
- 别勋
- 关键词：透明导电薄膜光电特性直流反应磁控溅射氧化锌化合物半导体材料
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- 直流反应磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜的正交设计
- 本文通过正交设计研究了多因素对直流反应磁控溅射ZnO:Ga薄膜光电性能的影响并且分析了不同参数的影响程度。
- 别勋吕建国叶志镇
- 关键词：磁控溅射正交设计光电性能
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- ZnO：Ga透明导电薄膜的低温生长及其性能研究
- ZnO是一种Ⅱ-V族宽禁带化合物半导体材料，在光电、压电、铁电、铁磁等诸多领域具有优异的性能。特别是，施主掺杂的ZnO是一种典型的透明导电氧化物(TCO)材料，可以取代目前商业上使用的ITO薄膜。在ZnO的施主掺杂中，最...
- 吕建国别勋叶志镇
- 关键词：透明导电薄膜半导体材料
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- 一种多层透明导电薄膜的制备方法
- 本发明的多层透明导电薄膜，包括衬底、n层金属Cu层和m层ZnO层，n层金属Cu层和m层ZnO层交替沉积在衬底上，n≥1，m≥1。采用磁控溅射法制备。多层透明导电薄膜具有的性质包括：可见光区的平均透过率大于70％，峰值透过...
- 吕建国别勋叶志镇
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- 太阳能电池用透明导电AZO薄膜室温生长及其性能研究
- 本文利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃和柔性衬底上制备铝掺杂氧化锌(ZnO：Al，简称AZO)透明导电薄膜，研究了Al含量和氩氧比对薄膜特性的影响。室温条件下，优化参数后可获得透光率超过90％、电阻率低至10-3Ωcm量...
- 王钰萍吕建国别勋龚丽叶志镇
- 关键词：掺铝氧化锌柔性衬底太阳能电池AZO薄膜磁控溅射
- 文献传递
- Ga掺杂对直流反应磁控溅射ZnO薄膜性能的影响
- 利用直流反应磁控溅射技术在玻璃上制备了高透过率和低电阻率的ZnO:Ga薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜电学性能的影响,并通过与未掺杂ZnO薄膜的比较,研究了Ga掺杂元素对ZnO薄膜结构、光学性能的作用。Ha...
- 别勋龚丽吕建国刘伟昌林兰叶志镇赵炳辉
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射载流子迁移率电学性能晶粒尺寸
- 文献传递
- 透明导电GZO/Cu/GZO多层薄膜的室温生长及性能研究被引量：1
- 2011年
- 研究Ga掺杂ZnO(GZO)和Cu薄膜形成的GZO/Cu/GZO多层薄膜体系,以期提高透明导电薄膜的综合性能。GZO/Cu/GZO多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备,研究Cu层厚度对多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明GZO/Cu/GZO多层薄膜具有较好的结晶性能。随着Cu层厚度的增加,多层薄膜的可见光透射率有所降低,同时电学性能大幅度提升。在Cu层厚度为7.5 nm时,GZO/Cu/GZO多层薄膜获得最优的光电综合性能指标,且相对于单层GZO薄膜ΦTC因子从7.65×10-5Ω-1增加到1.48×10-3Ω-1。
- 别勋王钰萍吕建国叶志镇
- 关键词：ZNO透明导电磁控溅射
- 射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜被引量：6
- 2010年
- 采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。
- 林兰叶志镇龚丽别勋吕建国赵炳辉
- 关键词：射频反应磁控溅射P型ZNO薄膜退火
