刘忠伟
- 作品数：96 被引量：97H指数：5
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- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置
- 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括：真空室、放电系统、卷绕系统；其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内；放电系统包括旋转阵列电极（2-1）、射频或高频电源（2-2）、绝缘块...
- 陈强杨丽珍刘忠伟王正铎桑利军
- 文献传递
- 大气压射频介质阻挡放电辉光放电和丝状放电的时空演化比较被引量：1
- 2022年
- 目的为研究大气压射频(13.56 MHz)介质阻挡放电(rf-DBD)在辉光放电和丝状放电2种模式下的电离形式,以及在一个放电周期(73.7 ns)内气体电离与时间和空间的关系。方法实验使用氩气获得稳定的辉光放电,使用氩气掺杂氮气获得丝状放电。实验中使用电流正向过零点的信号触发ICCD相机获得一个放电周期内不同时间点的36张照片,得出放电间隙之间不同位置的发光强度在一个周期内随时间的变化关系。结果在α模式下,每半个周期所产生的一次电子雪崩在空间和时间上都是从阴极到阳极的过程。在γ模式下存在负辉现象,并且在阴极电极的介质表面,负辉强度峰值的时间比体电离强度峰值时间晚约13 ns。在丝状放电中,等离子体的发光强度主要集中在阴极表面,介质表面积累的电荷之间的互相作用力使得放电形成单独的细小通道。结论α模式以体电离为主,而γ模式下除了体电离,还有离子撞击阴极表面产生的大量二次电子,并且比体电离的产生更晚。在丝状放电中,电介质表面电荷作用明显,阴极介质表面的电离为放电的主要形式。
- 李森潘杰王琳陈强刘忠伟
- 关键词：大气压介质阻挡放电放电模式
- 多腔耦合微波表面波PECVD法沉积DLC薄膜研究被引量：3
- 2018年
- 报道了利用多腔耦合微波表面波等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法制备类金刚石(DLC)薄膜。通过发射光谱(OES)测量,对Ar等离子体中的各种放电参数以及全部四个腔室内放电的均匀性作出评估。采用表面轮廓仪测量了薄膜的厚度;薄膜的表面形貌、组成结构通过原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱和X射线衍射光谱(XPS)进行了表征。在12.5μm厚度的有机薄膜聚酯(PET)表面沉积一定厚度DLC后,通过测量水蒸气透过率(WVTR)对DLC薄膜的阻隔性能进行了研究。结果表明,这种多腔耦合微波表面波等离子体装置,不仅能够实现四个腔室同时相对均匀的放电,也能够实现单个腔室的轴向均匀放电。制备的DLC薄膜结构致密、成分均匀,可以使PET薄膜阻隔性能提高约20倍。
- 赵曼曼桑利军周美丽杨丽珍刘忠伟陈强
- 关键词：发射光谱类金刚石
- 一种原子层沉积装置
- 本发明涉及一种原子层沉积装置，为了解决现有的热原子层沉积过程中，当沉积温度高于前驱体温度窗口上限时，沉积方式变为化学气相沉积问题，该装置包括可变温的基片台与沉积腔，实现了低温吸附、高温分解或进行反应，从而避免了原子层沉积...
- 刘忠伟陈强桑利军
- 文献传递
- 螺旋波等离子体发射光谱研究
- 2014年
- 为了解螺旋波等离子体的光学行为及特性,对螺旋波等离子体氩气放电进行了发射光谱(OES)测量,结果显示:谱线强度在模式转换时出现大幅增加。研究了不同气压下谱线强度随功率的变化关系,并采用发射光谱强度比值法对电子激发温度进行了计算,结果表明:在螺旋波放电阶段对应的电子激发温度随着功率增加呈下降趋势。
- 赵高马超刘忠伟陈强
- 关键词：光谱诊断电子激发温度
- 一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法
- 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法，包括有载气瓶、氢气瓶、AMD‑Ni单体瓶、DAD‑Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源，将AMD‑Ni单体瓶和DAD‑Ni单体瓶放在加热套内，加热套内壁缠上加...
- 刘忠伟桑利军郭群
- 文献传递
- 无机氧化硅薄膜制备的原位诊断及薄膜特性研究
- 采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。通过等离子发射光谱及四极杆质谱仪的实时在...
- 张军峰陈强刘福平刘忠伟
- 关键词：氧化硅薄膜质谱发射光谱傅里叶变换红外光谱透氧率
- 文献传递
- 不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究被引量：5
- 2011年
- 设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同.
- 董丽芳杨玉杰刘为远岳晗王帅刘忠伟陈强
- 关键词：介质阻挡放电壁电荷二次电子发射
- N掺p型氧化锌理论的研究进展被引量：1
- 2016年
- N元素由于其核外电子结构和原子半径与O十分相近,被认为是最适合用来制备p型ZnO(p-ZnO)半导体材料的掺杂元素。有关N掺p-ZnO的研究已经进行了很长时间,并且获得了许多重要成果。然而,目前对N掺杂ZnO的p型导电性的由来仍然存在极大的争议,研究者提出了多种N掺杂ZnO中可能存在的浅受主形式,包括N_o,N_o-V_(Zn),V_(Zn)-N_o-H^+等形式。在此,本文通过对不同的受主形式进行介绍与归纳,指出可能的N掺杂机理,希望能够有助于对后期实验工作的指导。
- 张海涛张海宝王正铎刘忠伟杨丽珍陈强
- 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法
- 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率...
- 陈强杨丽珍王正铎刘忠伟张春梅张受业
- 文献传递
