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调控多孔硅光致发光波长的研究: 2004年; 　用超声声空化与脉冲电化学腐蚀相结合的物理化学综合法在不同的温度下制备多孔硅样品。所测得的样品的光致发光谱曲线表明,将腐蚀槽置于超声器中用脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅样品,由于声空化所引发的特殊的物理、化学环境对其光致发光峰的波长有明显的影响。实验还表明,制备过程中的温度控制对样品的光致发光峰波长也有不可忽视的影响。; 任鹏史向华刘小兵; 关键词：声空化温度效应

激光医疗设备功率校准方法与系统: 本发明公开了一种激光医疗设备功率校准方法与系统，该方法包括获取激光功率计显示屏上的图像；从图像中截取出目标区域，并对目标区域进行预处理；对预处理后的图像进行分割，得到数字图像；根据每个数字图像外接矩形的宽度和高度定义识别...; 岳宇杰宾峰莫周严天海任鹏刘斯徐瑞鑫

多孔硅发光研究: 2006年; 发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料的研究开辟了一条新路.硅基发光材料的研究日益受到重视.为了实现硅基全色光显示,探寻硅基蓝光发射材料是十分必要的,然而它一般不易获得.所以,研究硅基蓝光发射材料是一个意义深、难度大的课题.本文重点阐述了多孔硅的发光机理,并介绍了多孔硅材料的潜在的应用前景.; 任鹏刘小兵; 关键词：多孔硅多孔硅微腔量子限制效应

具有防插拔功能的电动自行车充电装置及充电控制方法: 本发明公开了一种具有防插拔功能的电动自行车充电装置及充电控制方法，所述充电装置包括充电桩、网关设备以及云服务器，充电桩包括第一主控模块、电能计量模块、控制模块、第一电源模块以及第一通信模块；第一通信模块通过网关设备与云服...; 任鹏郭超宾峰刘安

多孔硅光致发光峰半峰全宽的压缩被引量：3: 2006年; 硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的。目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及S i/S iO2超晶格。声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径。实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术。超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质。这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃。在多孔硅的腐蚀过程中,由于超声波的作用增加了孔中氢气泡的逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀,使多孔硅光致发光峰的半峰全宽压缩到了3.8 nm。; 廖家欣任鹏史向华刘小兵; 关键词：多孔硅光致发光

高校经济管理类专业实验室开放的改革与探索被引量：5: 2006年; 本文就普通高校经济管理类专业实验室的现状进行了分析,指出了现行实验室存在的体制结构、师资配备等问题,并对经济管理类专业实验室的建设提出了改革意见。; 彭峥任鹏; 关键词：高校经济管理类专业实验室师资配备

二噻吩硼烷异构体分子结构测定的第一性原理研究被引量：1: 2023年; 本文在第一性原理计算基础上结合非平衡格林函数方法,研究了量子干涉效应对连接镍电极的二噻吩硼烷(dithienoborepin,DTB)分子结自旋输运性质的影响,并通过氨基和硝基钝化实现了对二噻吩硼烷分子异构体(DTB-A和DTB-B)的区分.结果表明,原始的DTB-A和DTB-B分子结在费米能级两侧都有一个自旋向上透射峰和一个自旋向下透射峰,且两个透射峰的能量位置和高度基本相同.因此,原始DTB-A和DTB-B分子结的自旋向上和自旋向下电流曲线基本重合,不能被明显区分.然而,研究发现量子干涉效应能不同程度地增强氨基钝化DTB-A分子结费米能级两侧分子轨道的自旋极化输运能力,并减弱氨基钝化DTB-B分子结费米能级两侧分子轨道的自旋极化输运能力.此外,研究还发现量子干涉效应可以显著提高硝基钝化DTB-B分子结费米能级两侧分子轨道的自旋极化输运能力,同时减弱硝基钝化DTB-A分子结费米能级两侧分子轨道的自旋极化输运能力.由于量子干涉效应对氨基和硝基钝化的DTB异构体分子结自旋输运能力有不同的调制作用,因此可以通过测量氨基和硝基钝化分子结的自旋电流值来区分DTB分子的两种异构体.; 彭淑平黄旭东刘乾任鹏伍丹范志强; 关键词：第一性原理分子器件量子干涉自旋输运

LoRa组网的数据传输速率与距离均衡性研究被引量：8: 2020年; 本文针对LoRa组网数据传输速率与距离均衡性问题,研究了扩频因子、带宽、编码率对LoRa网络数据传输速率和传输距离的影响,设计实现了LoRa无线数据传输实验系统。该系统以STM32L151和STC15W408AS为控制芯片,将传统的终端设计成可选择的A、B两类终端,并根据终端无线信号强度进行分区域配置,有效解决了传输距离和传输速度均衡性问题。实验结果表明,分区域传输参数配置能够优化LoRa网络的数据传输。; 肖灿任鹏唐立军; 关键词：数据传输系统 STM32

多孔硅的半峰全宽小于3.8nm的针形发光峰: 2006年; 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究它的发光峰形状的变化.从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰全宽均小于3.8nm.声空化所引发的特殊物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅提供了一条重要途径.实验结果表明,声空化处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.; 廖家欣任鹏史向华刘小兵; 关键词：超声波光致发光

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任鹏