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马永吉

作品数：2 被引量：7H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇二极管
  • 2篇辐照效应
  • 1篇射线
  • 1篇偏压
  • 1篇抗辐照
  • 1篇反向电流
  • 1篇Γ射线
  • 1篇NI
  • 1篇SBD
  • 1篇4H-SIC...
  • 1篇MESFET

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇马永吉
  • 1篇韩超
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明
  • 1篇张林

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应被引量：7
2009年
对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30V偏压.经过1Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiCSBD的辐照退化效应没有明显的影响.
张林张义门张玉明韩超马永吉
关键词：肖特基辐照效应偏压
SiC SBD和MESFET的抗辐照特性研究
本论文对Ni/4H-SiC SBD和MESFET的辐照效应进行了分析。重点研究了辐照引入的陷阱对这两种器件的影响。通过SBD的仿真，发现材料中的陷阱会导致正、反向电流的减小。从MESFET的仿真中可以看出，由于沟道掺杂浓...
马永吉
关键词：辐照效应肖特基势垒二极管反向电流
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