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马朝华

作品数:14 被引量:23H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇INGAAS...
  • 3篇低阈值
  • 3篇半导体
  • 3篇DFB激光器
  • 3篇MQW
  • 2篇多量子阱
  • 2篇增益耦合
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇LP-MOC...
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇调谐
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇新月
  • 1篇信号

机构

  • 14篇中国科学院
  • 3篇国家光电子工...

作者

  • 14篇马朝华
  • 8篇王圩
  • 8篇周帆
  • 7篇汪孝杰
  • 6篇张静媛
  • 6篇朱洪亮
  • 5篇陈博
  • 4篇高俊华
  • 4篇张济志
  • 3篇姜磊
  • 3篇李传波
  • 3篇白云霞
  • 3篇余金中
  • 3篇黄昌俊
  • 3篇王良臣
  • 3篇罗丽萍
  • 3篇毛容伟
  • 3篇左玉华
  • 3篇成步文
  • 3篇金才政

传媒

  • 10篇Journa...
  • 2篇光子学报
  • 1篇中国激光

年份

  • 3篇2003
  • 4篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1993
  • 2篇1989
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
1998年
本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendel-losong条纹.整个有源区的平均应变量几乎为零.用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2~4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB.20~40℃下的特征温度T0为67K.
陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
关键词:DFB激光器LP-MOCVD
1.3μm Si-Based MOEMS Optical Tunable Filter with a Tuning Range of 90nm被引量:1
2003年
Optical filters capable of single control parameter based wide tuning are implemented and studied.A prototype surface micromachined 1 3μm Si based MOEMS (micro opto electro mechanical systems) tunable filter exhibits a continuous and large tuning range of 90nm at 50V tuning voltage.The filter can be integrated with Si based photodetector in a low cost component for coarse wavelength division multiplexing systems operating in the 1 3μm band.
左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
关键词:MOEMS
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性被引量:1
1997年
本文在国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征.在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后,其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm,呈现偏振补偿特性.
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆金才政马朝华王启明
关键词:半导体多量子阱结构
1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器被引量:2
1989年
本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.
彭怀德马朝华汪孝杰张盛廉吕卉王丽明武淑珍马骁宇张洪琴
关键词:激光器PBC
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量:3
1996年
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.
郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
关键词:单量子阱激光器激光器MOCVD
长波长分布反馈激光器
王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆田慧良李力马朝华
该项目属信息技术领域课题,是为开发国产长距离大容量光纤通信用动态单纵模信号源而设立的“八五”重点攻关和“863”重大攻关项目。1.55um微米分布反馈激光器的特点在于它既处在光纤的最低损耗(0.16dB/KM)波段又是利...
关键词:
关键词:光纤通信
1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity
2003年
A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property of a-Si,the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating;the transmittance resonant peak will therefore shift substantially.The measured tuning rang is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmissi on peak is 9nm,and heating efficiency is 0.1K/mW.The large FWHM is mainly due to th e non-ideal coating deposition and mirror undulation.Possible improvements to increase the efficiency of heating are suggested.
左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
关键词:FABRY-PEROTA-SI
1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长被引量:2
1998年
报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4~6mA。20~40℃时特征温度T0高达67K,室温下外量子效率为0.3mW/mA。
陈博王圩汪孝杰张静媛周帆马朝华
关键词:激光器LP-MOCVD半导体激光器
1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器被引量:1
1998年
本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器,器件采用全MOVPE生长,阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB。
陈博王圩张静媛汪孝杰周帆朱洪亮边静马朝华
关键词:DFB激光器增益耦合应变多量子阱
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量:1
1997年
本文国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征.在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A/cm2(腔长800μm),平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结(PBH)条形结构多量子阱激光器阈值电流13~15mA.经过双腔面镀增透射膜后,其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm,呈现偏振补偿特性.
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词:低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
共2页<12>
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