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项金娟

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 18篇半导体
  • 12篇半导体器件
  • 9篇存储器
  • 7篇导体
  • 7篇阻挡层
  • 7篇刻蚀
  • 7篇半导体结构
  • 6篇界面层
  • 6篇金属
  • 5篇栅极
  • 5篇金属栅
  • 5篇晶体管
  • 5篇衬底
  • 4篇电极
  • 4篇扩散阻挡层
  • 4篇侧墙
  • 3篇底电极
  • 3篇淀积
  • 3篇氧化硅
  • 3篇原子层沉积

机构

  • 42篇中国科学院微...

作者

  • 42篇项金娟
  • 20篇李俊峰
  • 18篇王晓磊
  • 16篇王文武
  • 14篇赵超
  • 11篇高建峰
  • 9篇杨涛
  • 8篇刘卫兵
  • 7篇殷华湘
  • 7篇贺晓彬
  • 7篇杨红
  • 5篇马雪丽
  • 5篇李永亮
  • 4篇崔虎山
  • 4篇李俊杰
  • 3篇张青竹
  • 3篇唐波
  • 2篇许高博
  • 2篇钟汇才
  • 1篇魏珂

年份

  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件
本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度...
李亭亭项金娟张青竹王晓磊贺晓彬唐波殷华湘李俊峰
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成沟道层；对沟道层表面进行氧化处理以形成第一界面层；对第一界面层进行第一退火处理，以将第一界面层转化为第二界面层，在第二界面层上沉积第一非晶态高介电常...
马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
文献传递
一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法
本发明提供一种基于可变功函数栅极的晶体管器件制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅堆叠，并对伪栅堆叠两侧的半导体衬底暴露区域进行离子注入，形成源/漏区；除去伪栅，对源/漏区进行退火；提供单原子层沉积反应设...
项金娟王晓磊杨红刘实李俊峰王文武赵超
文献传递
半导体器件与其制作方法
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：形成第一预备半导体结构，预备半导体结构包括NMOS区和PMOS区，且NMOS区和PMOS区的裸露表面具有凹槽；在第一预备半导体结构的裸露表面上设置刻蚀停止层，刻蚀停...
项金娟王晓磊李亭亭王文武赵超
文献传递
半导体器件制造方法
本发明提供了一种CMOS金属栅极的形成方法，采用了新的金属栅极堆栈结构，不需要在高K栅极绝缘层与刻蚀停止层之间形成扩散阻挡层也可阻挡Al扩散，并避免了由此而引起的高K栅极绝缘层和PMOS栅极功函数控制层的劣化；同时，由于...
殷华湘项金娟杨红
文献传递
一种半导体结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层。其中，界...
马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
文献传递
一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件
本发明提出了一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上，形成后栅凹槽；在后栅凹槽上形成界面氧化层；在界面氧化层上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层...
项金娟王晓磊高建峰李亭亭李俊峰赵超王文武
文献传递
一种高光谱图像传感器的单片集成方法
本发明公开了一种高光谱图像传感器的单片集成方法，包括：在CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上形成底反射层；采用区域选择性原子层沉积工艺在底反射层上形成透明空腔层；透明空腔层由N个台阶结构组成，N＝2<Sup>m</Su...
崔虎山项金娟贺晓彬杨涛李俊峰赵超
一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器
本发明公开一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于在铁电场效应晶体管包括的铁电层的材料含有氧元素的情况下，抑制铁电层的剩余极化值随着使用时间的延长而逐渐降低。所述铁电场效应晶体管包括：半导体基底...
李宋伟王晓磊项金娟徐双双徐昊柴俊帅王文武
一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备
本发明公开一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备，涉及非易失性存储器件技术领域，以便于存储器件与CMOS后段工艺兼容，提高存储器件性能。所述存储器件包括形成在衬底上的阻变元件。阻变元件包括底电极，顶电极，以及位于底电...
高建峰刘卫兵项金娟杨涛李俊峰王文武
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