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韦玉平

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇压坯
  • 2篇烧结温度
  • 2篇笼状
  • 2篇笼状化合物
  • 2篇扩散层
  • 2篇化合物
  • 2篇分子式
  • 2篇保温时间

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇刘丽华
  • 2篇韦玉平
  • 2篇曹国辉
  • 2篇杨善武
  • 2篇李阳
  • 2篇栗峰

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种含Ga笼状化合物的制备方法
本发明<B>一种含</B><B>Ga</B><B>笼状化合物的制备方法</B>，该方法按照预合成的含Ga化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，除Ga外，均按名义成分称量，Ga元素为名义成分的2~4倍，在Ar气保护下于电弧...
韦玉平刘丽华栗峰李阳杨善武曹国辉
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一种含Ga笼状化合物的制备方法
本发明 一种含 Ga 笼状化合物的制备方法 ，该方法按照预合成的含Ga化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，除Ga外，均按名义成分称量，Ga元素为名义成分的2~4倍，在Ar气保护下于电弧炉内冶炼，所得合金敲碎，于研钵中充...
韦玉平刘丽华栗峰李阳杨善武曹国辉
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共1页<1>
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