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金锦炎

作品数：12 被引量：8H指数：2
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇量子阱激光器
  • 7篇应变量子阱
  • 5篇应变量子阱激...
  • 5篇致冷
  • 5篇ALGAIN...
  • 3篇光放大
  • 3篇光放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇多量子阱
  • 2篇结构优化
  • 2篇半导体
  • 2篇DFB-LD
  • 2篇DWDM系统
  • 2篇EA
  • 2篇高性能

机构

  • 9篇武汉邮电科学...
  • 3篇华中科技大学
  • 3篇武汉大学
  • 2篇清华大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 12篇金锦炎
  • 6篇刘涛
  • 5篇李同宁
  • 5篇杨新民
  • 3篇易新建
  • 3篇马宏
  • 2篇王彩玲
  • 2篇罗毅
  • 2篇吴又生
  • 2篇孙长征
  • 2篇王任凡
  • 2篇黄涛
  • 1篇李晓良
  • 1篇赵修建
  • 1篇朱光喜
  • 1篇江斌
  • 1篇陈四海
  • 1篇周宁

传媒

  • 2篇光通信研究
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇武汉工业大学...
  • 1篇全国第十次光...

年份

  • 3篇2004
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1998
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究被引量：5
2002年
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。
马宏易新建金锦炎杨新民李同宁
关键词：ALGAINAS半导体激光器
高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
1999年
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。
杨新民李同宁刘涛周宁金锦炎李晓良
关键词：ALGAINAS应变多量子阱DFB激光器
高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
1998年
报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。
李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
关键词：DWDM系统光纤通信系统2.5GB/S
1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究
2004年
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 0 35 % ;器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 ;经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 3dB ,3dB带宽为 5 0nm ,半导体光放大器小信号增益近 2 0dB ,带宽亦为 5 0nm .在 1 5 30— 1 5 80nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 5dB ,峰值增益波长的饱和输出功率达 7dBm ;器件增益随温度的升高而减小 ,当器件工作温度从 2 5℃升高至 6 5℃时 ,增益降低小于 3dB .
马宏陈四海金锦炎易新建朱光喜
关键词：半导体材料应变量子阱半导体光放大器增益
1.3 um 应变量子阱激光器及光放大器的结构优化与制作
金锦炎
关键词：应变量子阱激光器光放大器
高性能无致冷1.3μm AlGalnAs应变量子阱激光器
本文报道了AlGalnAs应变量子阱材料生长的低压金属有机化学气相沉积的工艺研究结果,用SIMS、XRD、PL等技术分析了量子阱材料的结构组成、纯度、光学特性,得到优化的生长工艺和量子阱结构;制作的脊形波导量子阱激光器量...
金锦炎刘涛
文献传递
1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作
作为光通信最广泛使用的光电器件,低成本,高温无致冷工作要求长波长半导体激光器具有尽可能低阈值电流和优良的温度特性.半导体光放大器在光信号处理方面的应用是光纤放大器所不可替代的,但要得到广泛的应用,其整体性能还有待提高.作...
金锦炎
关键词：INGAASP应变量子阱激光器光放大器
文献传递
1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作被引量：3
2002年
基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m
马宏易新建金锦炎杨新民李同宁
关键词：ALGAINAS致冷器
高性能无致冷1.3μm AlGalnAs应变量子阱激光器
金锦炎刘涛
MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究
2001年
用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 .3) ,光荧光谱线窄 (FWHM=31me V)
马宏金锦炎江斌赵修建
关键词：金属有机化学气相沉积ALGAINASINP
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共2页<12>
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