邵雷
- 作品数：34 被引量：4H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种体硅MOSFET结构
- 本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p<Sup>+</Sup>层（2）和n<Sup>-</Sup>层（3）；其中，所述p<Sup>+</Sup>层（2）和所述n<Sup>-</Sup>层（3）直接接触，n<...
- 王颖贺晓雯曹菲邵雷
- 文献传递
- 改进的电容式微加速度计中电路噪声模型被引量：3
- 2012年
- 为了在加速度传感器设计中准确预测系统电路噪声,优化电路设计参数,建立了改进的电容式微加速度计中的电路噪声模型.详细分析了电荷积分器中的运算放大器噪声、开关热噪声、驱动信号参考电压、寄生电容电阻对系统噪声的影响,分析了相关双采样对热噪声和1/f噪声的影响,建立了微加速度计系统的输入参考噪声公式,所建立的电路噪声模型对各个电路噪声源进行综合考虑,没有忽略噪声源间的相互影响.仿真和测试结果表明:所建立的电路噪声模型能够准确的预测噪声水平,且开关热噪声在高精度微加速度计中严重影响着系统噪声水平.
- 刘云涛王颖邵雷
- 关键词：电容式微加速度计
- 一种沟槽结构肖特基器件
- 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，...
- 王颖徐立坤曹菲刘云涛邵雷
- 文献传递
- 一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
- 本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
- 王颖包梦恬曹菲邵雷
- 文献传递
- 互补共源共栅反相器及增量Sigma‑Delta模数转换电路
- 本发明提供的是一种互补共源共栅反相器及增量Sigma‑Delta模数转换电路。由二阶ΣΔ调制器(101)、降采样滤波器(102)、时钟信号产生电路(103)和低压‑高压转换器(104)构成，二阶ΣΔ调制器(101)中的带...
- 刘云涛邵雷高松松
- 文献传递
- 一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
- 本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固SOI结构。本发明在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（...
- 王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
- 文献传递
- 500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
- 2012年
- 介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.
- 邵雷李婷陈宇贤王颖
- 关键词：横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻
- 新型微电子器件Zr-Si-N扩散阻挡层研究
- 王颖邵雷丁明惠刘云涛曹菲
- 随着微电子器件尺寸的进一步缩小，由于接触孔面积的缩小使得阻挡层薄膜的电阻会变大，从而增加总的器件串联电阻。因此，阻挡层在保持铜金属化体系稳定性的同时要尽可能地薄。同时，阻挡层要有一定的厚度，这就要求阻挡层要有良好的低应力...
- 关键词：
- 关键词：微电子器件半导体集成电路
- 一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
- 本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
- 王颖包梦恬曹菲邵雷
- 文献传递
- 一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
- 本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆...
- 王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
- 文献传递
