蔡益民
- 作品数:11 被引量:11H指数:2
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- 相关领域:电子电信自然科学总论更多>>
- 稀土元素Dy在MIM隧道结发光中的作用研究被引量:1
- 1995年
- 制备了掺稀土元素Dy的MIM隧道发光结,得到结的发射光谱、伏安特性及对各层膜的成份分析,结果显示Dy元素的加入提高了MIM结的发光强度.讨论了Dy元素在提高MIM隧道结的发光效率中所起的作用.
- 俞建华孙承休蔡益民高中林
- 关键词:稀土元素DY发光强度
- 声表面波MIM隧道发光二极管被引量:1
- 1993年
- 我们在研究MIM隧道发光结(金属-绝缘层-金属)的过程中,首次以表面声波代替表面随机粗糙度的作用,将MIM结制作在声表面波场中,结果使结的发光效率、发光强度、稳定性、均匀性都有改善.本文介绍了结的基本结构,基本工艺,阐明了结的发光机理,讨论了结的I—V特性曲线和光谱曲线,根据结具有显著的负阻现象,我们设计出了一种新型的开关器件.
- 蔡益民孙承休高中林俞建华
- 关键词:隧道结声表面波器件发光二极管
- MIS(Au-SiO_2-Si)隧道发光结被引量:7
- 1996年
- 在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研制成功MIS(Au-SiO2-Si)隧道结,观察到了稳定的发光现象.介绍了MIS结的基本结构和工艺流程,分析了结中SPP的各个模式,讨论了结的发光光谱,阐明了MIS结的发光机理.
- 蔡益民孙承烋高中林
- 关键词:半导体材料半导体结构
- 声表面波(ASW)在MIM结发光中的作用
- 1992年
- 本文介绍了一种制作在声表面波器件上的新型MIM发光结器件,和这种器件的结构设计以及制作工艺,讨论了这种器件的电流电压特性曲线、发射光谱曲线并与以玻璃为基片的发光结进行了对比,对声波在发光机理中的作用进行了控讨.
- 高中林孙承烋蔡益民俞建华
- 关键词:声表面波电流电压发射光谱
- MIM隧道发光结的光谱分析及负阻现象被引量:2
- 1993年
- 在MIM隧道发光结的研究过程中,结的发光是SPP快模还是慢模起主要作用,一直是许多学者争论的主题。本文利用扫描电子显微镜估计MIM隧道结的表面粗糙度,然后根据对结的发光光谱的数据分析,得出快模在发光中占主要地位的结论,并以此解释MIM结I—V特性中的负阻现象。
- 蔡益民孙承烋俞建华
- 关键词:光谱分析负阻
- MIM隧道发光结的研究
- 蔡益民
- MIM隧道二极管的发光机理被引量:1
- 1995年
- 本文介绍金属-绝缘体-金属(MIN)结的基本结构及其发光机理,根据电流波动理论计算得到的表面等离子极化激元(SPP)慢模能量分布与测量光谱的比较,得出发光中慢模起主要作用的结论,并以此来说明MIM结I-V特性的负阻现象。
- 蔡益民孙承休高中林魏同立
- 关键词:极化激元二极管
- MIM隧道发光结的负阻现象
- 蔡益民高中林
- 关键词:隧道效应
- MIM隧道发光结表面形貌分析
- 1994年
- 简介金属-绝缘层-金属(MIM)隧道结的基本结构、工艺流程及发光机理。利用原子力显微镜(AFM)观察MIM隧道结的表面形貌,发现结表面存在规则有序的自然粗糙度。根据AFM照片估计粗糙度尺寸,再利用小金属颗粒隧道结的偶极子共振发射天线理论,计算结发光光谱峰值,理论与实验符合较好。
- 刘柯林蔡益民孙承高中林王林
- 关键词:MIM隧道结粗糙度
- MIM隧道发光结的负阻现象
- 1994年
- 本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。
- 蔡益民高中林孙承休
- 关键词:金属隧道结电流-电压负阻