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肖静

作品数:32 被引量:110H指数:6
供职机构:泰山学院物理与电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金北京市科委基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇理学
  • 9篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 22篇发光
  • 17篇电致发光
  • 11篇有机电致发光
  • 9篇激子
  • 8篇配合物
  • 7篇电致发光器件
  • 7篇发光器件
  • 6篇铽配合物
  • 6篇光谱
  • 5篇有机电致发光...
  • 4篇稀土
  • 4篇空穴
  • 4篇飞秒
  • 3篇谱性质
  • 3篇稀土配合物
  • 3篇金属
  • 3篇光谱性
  • 3篇光谱性质
  • 3篇OLED
  • 3篇MBA

机构

  • 19篇北京交通大学
  • 16篇泰山学院
  • 9篇河北师范大学
  • 2篇哈尔滨工程大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇苏州大学
  • 1篇莱芜职业技术...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇京东方科技集...

作者

  • 32篇肖静
  • 18篇邓振波
  • 15篇徐登辉
  • 9篇王瑞芬
  • 6篇徐颖
  • 5篇梁春军
  • 5篇刘婷婷
  • 4篇陈征
  • 4篇王振东
  • 4篇马建玲
  • 4篇谭静芳
  • 3篇李秀芳
  • 3篇程宝妹
  • 2篇杨兆华
  • 2篇张元元
  • 2篇时玉萌
  • 2篇任晶
  • 1篇吕昭月
  • 1篇肖立新
  • 1篇郝金刚

传媒

  • 4篇光电子.激光
  • 4篇发光学报
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 4篇中国稀土学报
  • 2篇光子学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇计算物理
  • 1篇现代显示
  • 1篇科技信息
  • 1篇科技视界
  • 1篇黑龙江、江苏...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于径向希尔伯特变换的图像边缘增强特性研究被引量:6
2011年
研究了基于螺旋相位频谱滤波器滤波的径向希尔伯特变换对不同边缘分布图像的增强特性.给出了拓扑荷n=1的有限孔径螺旋相位滤波器点扩散函数的解析表达式,并利用圆孔、汉字和人像等三幅不同边缘分布密度的图像进行了边缘增强的模拟计算.结果表明,基于螺旋相位频谱滤波的径向希尔伯特变换会使边缘增强图像具有立体浮雕效果,并且随着输入图像的边缘分布密度变大,立体浮雕效果会越显著.通过理论分析得出,这一现象是由螺旋相位滤波器点扩散函数中的次极大分布与输入图像边缘卷积引起的.这一结论为图像的信息处理提供了一些有利的手段.
陈君崔祥霞肖静杨兆华刘婷婷
关键词:浮雕效果
稀土铽配合物TbY(m-MOBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光单层器件的研究被引量:2
2004年
将新型稀土配合物TbY(m MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质。用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1∶5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9V,最大亮度在17V时达到15.7cd·m-2。对比[Tb(m MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递。
肖静邓振波徐登辉徐颖王瑞芬
关键词:电致发光铽配合物激子
稀土配合物Tb(p-MBA)_3phen的有机电致发光被引量:6
2004年
合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20V时达到152cd·m-2。
徐颖邓振波徐登辉肖静王瑞芬
关键词:铽配合物电致发光激子稀土
周期性多发光层结构单色有机电致发光器件的研究被引量:5
2007年
以具有高离化能的n型小分子材料PBD、BCP作为激子限制层,用交替沉积的方式制备了分别以Alq3/PBD、NPB/BCP为周期结构多发光层的绿光、蓝光器件。周期性多发光层结构的引入大大提高了器件性能,其中,具有双周期3发光层的绿光器件最大亮度和效率分别是常规器件的10.5倍和4.4倍,具有双周期双发光层的蓝光器件最大亮度和效率分别是常规器件的2.75和1.45倍。器件性能提高的主要原因是周期性结构的引入和多发光区域的划分增加了激子产生几率。同时,周期数对器件性能有重要影响。绿光、蓝光器件电致发光(EL)谱谱峰值基本稳定,半高谱宽出现了窄化。
程宝妹邓振波徐登辉肖静
关键词:异质结多层结构激子
一种无机/有机复合结构白色发光显示器
一种无机/有机复合结构白色发光显示器,其结构依次为:玻璃基片(1)、ITO电极(2)、空穴传输层(3)、有机发光层(4)、无机材料薄层(5)、金属背电极(6)。空穴传输层(3)采用胺的衍生物NPB,厚度45纳米。有机发光...
邓振波肖静徐登辉梁春军
文献传递
OLED电子传输材料研究进展被引量:2
2023年
有机电致发光(OLED)是目前最有竞争力的显示技术,市场占有量逐年攀升。高效、稳定的OLED,特别是深蓝光器件,性能仍需提升,其关键问题是高性能的电子传输材料的研发。这是由于有机分子难以获得较高电子迁移率,器件中的复合区域通常靠近电子传输层一侧,这就要求电子传输材料需要具有较高三线态能级来限域激子,尤其是高能量的蓝光激子。而高三线态(弱共轭)和高迁移率(强共轭)一直是有机分子设计中难以调和的矛盾,此外更宽的带隙也会导致较差的热稳定性,这些难题始终限制着OLED电子传输材料的发展。本文分类介绍了高性能的电子传输材料所需要具备的几点特性,包括热稳定性、光化学稳定性、电子迁移率、前线轨道能级和三重态能级等,并且综述了21世纪以来OLED小分子电子传输材料的重要研究进展,以期对未来开发理想的电子传输材料提供参考。
唐振宇郭浩清肖静陈志坚肖立新
关键词:有机电致发光电子传输材料稳定性电子迁移率
超薄层及DCM类红色发光染料在有机电致发光中的应用
首先研究了LiF超薄层的位置改变对有机电致发光器件性能的影响:/(1/)将LiF超薄层插入到NPB/(N, N'-diphenyl-N, N'-bis/(1-napthyl/)-1, 1'-biphenyl-4, 4'-...
肖静
关键词:光谱展宽共掺白色有机电致发光器件空穴阻挡层
文献传递网络资源链接
啁啾系数对飞秒脉冲的分裂及光谱性质的影响
2014年
利用预估校正-时域有限差分法求得不含慢变包络近似和旋转波近似的全波Maxwell-Bloch方程的数值解,在Λ型三能级原子介质中研究了啁啾系数C对传播中的飞秒Gauss型脉冲分裂情况及光谱性质的影响.结果表明:面积小于等于3π的啁啾脉冲在介质中不出现分裂,但脉冲啁啾会引起脉冲频谱的震荡;对于4π面积啁啾脉冲,啁啾系数C较小时脉冲在介质中发生分裂,C较大的脉冲不再产生分裂,即分裂的子脉冲数量减少;随着C增大,脉冲中心频率附近频谱震荡愈加剧烈,高频成分的范围及强度明显减小;对于大面积8π脉冲,脉冲分裂情况与4π情况相似,但随C增大,脉冲高频成分的范围和强度没有明显变化,而高频成分中的峰值分布却显著不同.
王振东吴晓梅刘婷婷马建玲肖静
关键词:飞秒脉冲光谱
掺杂双相纳米晶复合光子玻璃的研究进展被引量:6
2021年
掺杂双相纳米晶复合玻璃是近十年发展起来的一种新型的面向前沿光子学应用的光学材料。这一类材料是通过热处理原位析晶或者外掺纳米晶的方式在玻璃中均匀地镶嵌两种不同种类的纳米晶体,如氟化物(YF3)、氧化物(Ga_(2)O_(3))、钙钛矿(CsPbBr_(3))以及贵金属(Au)纳米晶等,其显著的特点是兼具两种纳米晶体各自的光学功能以及玻璃自身优良的物理、化学和机械加工特性,因而有望在多个领域,如照明、显示、激光、通信、光存储和传感等得到广泛的应用。本文全面回顾了稀土和过渡金属离子单掺或共掺模式下双相纳米晶复合光子玻璃的研究进展,并从对发光性能调控的角度出发,进行了三方面的总结,即:通过调控发光离子的间距影响能量传递机制;通过构造多种晶体场环境拓展发光离子的发光带宽;通过调控发光离子局域光子态密度增强其发光效率。同时,对掺杂双相纳米晶复合玻璃的一个典型应用,即利用多模式发光实现高精度光学测温进行了总结。最后,分析了现阶段双相纳米晶复合玻璃研究中存在的一些问题,并对其发展前景进行了展望。
高志刚肖静任晶
关键词:稀土离子过渡金属离子
金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展被引量:14
2010年
最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。
刘翔薛建设贾勇周伟峰肖静曹占峰
关键词:薄膜晶体管氧化物
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