程玮
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
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- SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
- 2011年
- 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
- 程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
- 关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
- 体硅/SOI MOSFET与LDMOS的非准表态效应研究
- 在工作频率进入吉赫兹以后,非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的重要因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种,典型器件的非准静态效应开展深入研究。 1.体硅MOSFET非准静态效应研...
- 程玮
- 关键词：MOSFET
- 文献传递
- 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
- 2011年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
- 张锐郭宇锋程玮花婷婷
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀
- 一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型
- 本文基于三维泊松方程的求解，建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比，本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应，而且能够准确地反映二者相互耦合的...
- 左磊召郭宇锋王厚大程玮张锐花婷婷
- 关键词：表面势阈值电压短沟道效应
- 体硅/SOI MOSFET 与LDMOS的非准静态效应研究
- 在工作频率进入吉赫兹以后，非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种典型器件的非准静态效应开展深入研究。 1.体硅MOSFET非准静态效应研究。...
- 程玮
- 关键词：射频集成电路
- 文献传递
