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石岩
石岩
作品数:
28
被引量:5
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
中国科学院知识创新工程重要方向项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
郑婉华
中国科学院半导体研究所
渠红伟
中国科学院半导体研究所
张冶金
中国科学院半导体研究所
陈良惠
中国科学院半导体研究所
马绍栋
中国科学院半导体研究所
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2007
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一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器
本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器,包括:叠层结构,该叠层结构包括:N型衬底;形成于N型衬底下表面的下电极;形成于N型衬底上表面的N型限制层;形成于N型限制层之上的光子晶体;形成于光子晶体之上的有源层;形...
郑婉华
刘磊
刘云
渠红伟
张冶金
郭文华
石岩
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基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器,包括:一衬底;在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层,该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构,脊形结构上部的两侧为整体结构,一...
渠红伟
郑婉华
张冶金
张建心
刘磊
齐爱谊
王海玲
马绍栋
石岩
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n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合
被引量:1
2007年
采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.
李慧
何国荣
渠红伟
石岩
种明
曹玉莲
陈良惠
关键词:
光电集成
直接键合
GAAS
GAN
低温晶片键合的方法
一种低温晶片键合的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗,去除表面的有机物,该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片...
彭红玲
陈良惠
郑婉华
石岩
渠红伟
杨国华
何国荣
超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器
一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器,包括:一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层,一P型电极制作在绝缘层上;一N型电极,制作在衬底的背面;...
渠红伟
张冶金
张建心
刘磊
齐爱谊
王海玲
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石岩
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一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器
本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器,包括:叠层结构,该叠层结构包括:N型衬底;形成于N型衬底下表面的下电极;形成于N型衬底上表面的N型限制层;形成于N型限制层之上的光子晶体;形成于光子晶体之上的有源层;形...
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基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器,包括:一衬底;在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层,该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构,脊形结构上部的两侧为整体结构,一...
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低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器,包括:在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层,该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构,其上部的一侧为整体结构,另一侧为人工微结构,该人工...
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低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器,包括:在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层,该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构,其上部的一侧为整体结构,另一侧为人工微结构,该人工...
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单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法
本发明提供了一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法。该单模光子晶体垂直腔面发射激光器,利用透明导电层透光和导电特性,使得电流均匀的注入有源区,从而解决了电流注入问题,提高了单模输出功率。
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