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王志明

作品数：8 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 4篇砷化镓
  • 4篇INAS/G...
  • 3篇砷化铟
  • 3篇自组织
  • 3篇自组织生长
  • 3篇INAS
  • 2篇INAS/G...
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光特性
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇自组织量子点
  • 1篇铝镓砷
  • 1篇厚度
  • 1篇覆盖层

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 8篇王志明
  • 6篇封松林
  • 4篇徐仲英
  • 4篇郑厚植
  • 4篇陈宗圭
  • 4篇吕振东
  • 3篇赵谦
  • 3篇段晓峰
  • 2篇王凤莲
  • 2篇杨小平
  • 1篇程文超
  • 1篇韩培德
  • 1篇王凤莲
  • 1篇刘剑
  • 1篇李月霞
  • 1篇邓元明
  • 1篇杨锡震
  • 1篇李承芳
  • 1篇陈枫
  • 1篇王杏华

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报

年份

  • 5篇1998
  • 3篇1997
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
1997年
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织生长砷化铟
自组织InAs/GaAs量子点的生长和物性表征
自组织InAs量子点的生长和物性表征,是目前低维半导体物理研究领域一个前沿课题.该论文较为深入地研究了量子点的多层垂直相关生长机制、生长停顿效应、退火行为以及其光致发光谱泊温度依赖关系,并取得了一些有意义的结果.(1)系...
王志明
关键词：量子点自组织量子点退火行为
自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究被引量：3
1997年
报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织
InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质被引量：2
1998年
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ．
陈枫封松林杨锡震王志明赵谦赵谦
关键词：砷化铟自组织生长量子点
扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究被引量：2
1998年
本文报道了用ＭＢＥ－ＳＰＭ联合系统对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点进行准原位研究的初步结果．ＳＴＭ图像表明，在对ｎ＋－ＧａＡｓ衬底进行脱氧处理后，通过生长ＧａＡｓ缓冲层能有效的改善表面质量．在缓冲层上继续生长２单原子层ＩｎＡｓ后形成了量子点．ＳＰＭ与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义．
赵谦封松林王志明
关键词：砷化镓砷化铟量子点STM
自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究被引量：3
1998年
利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．
王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：自组织砷化镓
GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
1998年
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．
王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明
关键词：荧光特性砷化镓铝镓砷
不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响被引量：5
1997年
本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著，并由此导致了发光峰半高宽的不同变化．
王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植
关键词：砷化镓自组织生长厚度
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