柯建林
- 作品数：51 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 高能离子束诊断质谱仪的研制
- 脉冲高压放电离子源是一种用于产生金属离子束或者金属气体混合离子束的离子源，因其具有结构紧凑、高的离子电荷态以及强的离子束流等优势，现已被广泛应用于离子注入与材料表面改性[1]以及加速器离子注入等领域[2]。飞行时间(TO...
- 谭国斌苏海波邱瑞柯建林周长庚高伟周振黄正旭
- 关键词：飞行时间质谱仪
- 一台3×108 n/s自成靶D-D中子发生器
- 中子发生器在中子学参数测量、材料分析、爆炸物检测、国土安全、中子照相等方面有着广泛的应用。本文基于全永磁微波离子源和钛自成靶技术研制了1台小型D-D中子发生器,其设计中子产额为3×10n/s。该D-D中子发生器采用全永磁...
- 柯建林刘百力刘玉国胡永宏刘猛唐君邱瑞李彦刘湾伍春雷
- 磁质谱仪离子收集器数字化读出系统的研制被引量：1
- 2019年
- 研制了一个用于磁质谱仪法拉第筒阵列离子收集器的高精度数字化读出系统,实现对离子束中离子成分的分析与诊断。数字化读出系统由前端处理电路和数据获取模块组成,前端处理电路采用门控积分器将418通道微弱电荷信号转换为电压信号,数据获取模块将电压信号数字化后,通过以太网接口将数据上传到远程上位机。该读出系统实现了电荷范围为0.1~120pC的数字化读出,非线性误差小于1.95%(全量程)。现场应用测试结果表明,该数字化读出系统完全满足实验需求。该系统还可广泛用于核物理实验和加速器系统中微弱电流或电荷信号的测量。
- 佘乾顺苏弘苏弘赵祖龙徐治国柯建林
- 关键词：数字化
- 一种直线式飞行时间质谱仪
- 本发明提供一种直线式飞行时间质谱仪。在一个高真空腔室内，设置了气体进样装置、电子轰击离子源、纳秒脉冲离子开关、法拉第杯等设备。气体进样装置把环境气体引入离子源放电区，电子与气体分子相互作用产生电离，生成气体离子。在引出电...
- 周长庚高伟邱瑞谭国斌柯建林
- 脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放测量技术研究
- 2015年
- 为认识脉冲离子束作用下金属氚化物的氦释放行为,建立了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放测量系统。利用标准体积气体取样装置,采用气体反扩散法,对系统的容积比、灵敏度进行了实验标定。在此基础上,发展了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放的测量技术,开展了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放实验研究。结果显示,单次脉冲离子束作用下金属氚化物的氦释放呈脉冲式,释放量最大可达10^(13)个原子以上。
- 林菊芳刘猛言杰柯建林邱瑞李余
- 脉冲离子束流聚焦装置的研制被引量：1
- 2013年
- 用小型化的质量分析系统进行脉冲离子束流实验研究时,从真空弧离子源中引出的束流脉冲幅度大、能量低,由于空间电荷效应使脉冲束流发散度很大,使得离子束流成分分析的不确定度增大。为克服在有限的空间范围内脉冲离子束流聚焦的困难,研制了一种新的双限束光阑三膜片透镜离子束流聚焦装置。双限束光阑着重减少束流发射度,三膜片透镜则适合小尺度空间的脉冲束流聚焦。计算机模拟的结果符合这种大脉冲离子束流聚焦的设计思想。磁质谱仪应用该聚焦装置后,发散到质量分析器分析盒上的脉冲离子束流幅值从未加聚焦前的115mA减少至0.06mA,脉冲离子束流质量分析的不确定度降低。
- 周长庚柯建林邱瑞
- 关键词：透镜
- 一种氘氚中子管氘离子束流成份的测量装置及其测量方法
- 本发明提供了一种氘氚中子管氘离子束流成份的测量装置及其测量方法。在氘氚中子管抽真空或密封前，在靶位置安装一适当厚度的铝膜，根据氘离子与金属离子在铝膜中的射程不同，在铝膜的厚度适当的情况下，重离子能够被完全阻止在铝膜内，氘...
- 周长庚柯建林邱瑞安力何铁胡永宏
- 文献传递
- 小型DD中子发生器及其应用
- 小型DD中子发生器在中子活化分析、探测器标定、辐照等多个方面有着广泛的应用前景。本文主要介绍核物理与化学研究所研制的一系列小1型DD中子发生器的现状及其在工业物料分析、探测器标定等方面的应用,并对未来发展进行了展望。
- 柯建林刘百力娄本超胡永宏伍春雷言杰郑普朱通华安力刘湾刘猛张钦龙
- 一种直线式飞行时间质谱仪
- 本实用新型提供一种直线式飞行时间质谱仪。在一个高真空腔室内，设置了气体进样装置、电子轰击离子源、纳秒脉冲离子开关、法拉第杯等设备。气体进样装置把环境气体引入离子源放电区，电子与气体分子相互作用产生电离，生成气体离子。在引...
- 周长庚高伟邱瑞谭国斌柯建林
- 文献传递
- 脉冲束流引出时的等离子体鞘层变化被引量：2
- 2015年
- 采用一维无碰撞的动力学鞘层模型计算了脉冲等离子体在恒压引出时的等离子体鞘层厚度变化,分别对短脉冲和长脉冲放电时的离子源发射面演变进行了分析。结果表明:对于短脉冲放电,发射面位置的变化相对等离子体密度的变化存在一定时间的延迟;对于长脉冲的上升沿和直流放电的开启阶段,鞘层厚度变化的速度与离子初始速度相关,稳定后发射面的位置与离子初始速度和等离子体密度的乘积相关。
- 柯建林周长庚
