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杨慧

作品数：23 被引量：21H指数：3
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：化学工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 6篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 15篇衬底
  • 13篇非极性
  • 13篇SUB
  • 7篇GAN薄膜
  • 6篇缺陷密度
  • 4篇衬底温度
  • 3篇电学性能
  • 3篇多量子阱
  • 3篇外延层
  • 3篇外延片
  • 3篇蓝光
  • 3篇蓝光LED
  • 3篇缓冲层
  • 3篇掺杂
  • 2篇能值
  • 2篇能值分析
  • 2篇能值指标
  • 2篇泡孔
  • 2篇泡孔结构
  • 2篇足迹

机构

  • 23篇华南理工大学
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 23篇杨慧
  • 16篇李国强
  • 1篇黄汉雄
  • 1篇林鑫

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多途径制备PP/POE发泡材料的泡孔结构及性能
聚丙烯(PP)发泡材料因成本低、耐热性好、可回收利用等优点，广泛应用于汽车、包装等领域。各种用途对发泡材料的泡孔结构有不同要求。因此，制备具有不同泡孔结构的PP发泡材料具有重要意义。本学位论文采用一步泄压和两步泄压，对P...
杨慧
关键词：乙烯-辛烯共聚物微孔发泡泡孔结构
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性InN薄膜
本实用新型公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性InN薄膜，包括生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性a面InN缓冲层及生长在非极性a面InN缓冲层上的非极性a面InN层；所述非极性...
李国强杨慧
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法
本发明公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO<Sub>2</Sub>衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极...
李国强杨慧
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含氢硅油及聚醚与长链烷基共改性硅油的制备
有机硅素有“工业味精”之称，以其优异的性能被广泛应用于建筑、电子电器、纺织、汽车、机械、皮革、造纸、涂料、医药等行业中。 以含氢聚硅氧烷为原料通过硅氢加成而得的硅油，被广泛应用于交联剂、抗黄剂、消泡剂，流平剂等、印染助剂...
杨慧
关键词：聚醚硅油改性硅油
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性多量子阱
本实用新型公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性多量子阱，包括由下至上依次排列的LiGaO<Sub>2</Sub>衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、极性InGaN/GaN量子阱层...
李国强杨慧
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具有三峰泡孔结构的聚合物发泡材料的制备方法及其应用
本发明公开一种具有三峰泡孔结构的聚合物发泡材料的制备方法及其应用，涉及聚合物发泡技术领域，解决了现有相关技术制备的发泡材料力学强度较低等问题。制备方法为，将聚合物A和聚合物B预混合后，加入挤出机内，熔融混炼挤出后得到共混...
黄汉雄杨慧
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性多量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性多量子阱，包括由下至上依次排列的LiGaO<Sub>2</Sub>衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、极性InGaN/GaN量子阱层。本...
李国强杨慧
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性GaN薄膜
本实用新型公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN层；所述非极性...
李国强杨慧
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法
本发明公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的掺杂GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO<Sub>2</Sub>衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜；所述非极性G...
李国强杨慧
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生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用
本发明公开了生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN层；所述非极性m面...
李国强杨慧
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